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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利半导体装置及布局设计方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112447706B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010886321.1，技术领域涉及：H10D89/10；该发明授权半导体装置及布局设计方法是由金贞林;卢明秀;郑鲁永;郑硕允;金皊翰设计研发完成，并于2020-08-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体装置及布局设计方法在说明书摘要公布了：公开了一种半导体装置及布局设计方法，所述半导体装置包括第一单位单元和第二单位单元，第一单位单元包括沿第一方向延伸的第一鳍图案、沿第二方向延伸的第一栅极图案以及设置在第一栅极图案的一侧上且接触第一鳍图案的第一接触件，第二单位单元包括沿第一方向延伸的第二鳍图案、沿第二方向延伸的第二栅极图案以及设置在第二栅极图案的一侧上且接触第二鳍图案的第二接触件，其中，第一栅极图案和第二栅极图案间隔开并且位于沿第二方向延伸的第一直线上，第一接触件和第二接触件间隔开并且位于沿第二方向延伸的第二直线上，并且第一中间接触件设置在第一接触件和第二接触件上并将第一接触件和第二接触件连接。

本发明授权半导体装置及布局设计方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，所述半导体装置包括： 第一单位单元；以及 第二单位单元， 其中，第一单位单元包括：第一鳍图案，沿第一方向纵向延伸；第一栅极图案，沿第二方向纵向延伸以与第一鳍图案交叉；以及第一接触件，设置在第一栅极图案的一侧上以接触第一鳍图案， 其中，第二单位单元包括：第二鳍图案，沿第一方向纵向延伸；第二栅极图案，沿第二方向纵向延伸以与第二鳍图案交叉；以及第二接触件，设置在第二栅极图案的一侧上以接触第二鳍图案，并且 其中，第一栅极图案和第二栅极图案彼此间隔开并且位于沿第二方向纵向延伸的第一直线上，第一接触件和第二接触件彼此间隔开并且位于沿第二方向纵向延伸的第二直线上，并且第一中间接触件设置在第一接触件和第二接触件上并将第一接触件和第二接触件彼此连接， 其中，第一中间接触件的顶表面在第二方向上的宽度大于第一中间接触件的底表面在第二方向上的宽度， 其中，第一接触件的顶表面在第二方向上的宽度小于第一中间接触件的底表面在第二方向上的宽度，并且 其中，第一中间接触件的底表面与第一接触件的顶表面接触。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道水原市；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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