江苏宏微科技股份有限公司俞义长获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉江苏宏微科技股份有限公司申请的专利IGBT功率半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112531018B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011552683.3，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权IGBT功率半导体器件是由俞义长;赵善麒设计研发完成，并于2020-12-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本IGBT功率半导体器件在说明书摘要公布了：本发明公开了一种新型IGBT功率半导体器件，包括：衬底；缓冲区，所述缓冲区设置于所述衬底上；基区，所述基区设置于所述缓冲区上；多个真栅极单元，多个所述真栅极单元设置于所述基区上，其中每个所述真栅极单元两侧分别设有假沟槽单元，并且每个所述真栅极单元的接触孔与相邻两侧的所述假沟槽单元的接触孔相连。本发明能够增加源区宽度，改善了工艺的一致性，提高器件的阈值电压等特性在圆片内的一致性和均匀性，从而解决了器件的可制造性问题。
本发明授权IGBT功率半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种IGBT功率半导体器件，其特征在于，包括： 衬底； 缓冲区，所述缓冲区设置于所述衬底上； 基区，所述基区设置于所述缓冲区上； 多个真栅极单元，多个所述真栅极单元设置于所述基区上，其中每个所述真栅极单元两侧分别设有假沟槽单元，并且每个所述真栅极单元的发射极接触孔与相邻两侧的所述假沟槽单元的接触孔相连， 每个所述真栅极单元的发射极接触孔与相邻两侧的所述假沟槽单元的接触孔之间非连续连接，以在每个所述真栅极单元的两侧构成多个等间距排布的合并接触孔，所述真栅极单元两侧的合并接触孔错位排布。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人江苏宏微科技股份有限公司，其通讯地址为：213022 江苏省常州市新北区华山中路18号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励