富士电机株式会社加藤辽一获国家专利权
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龙图腾网获悉富士电机株式会社申请的专利半导体模块和半导体模块的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113224022B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110012028.7，技术领域涉及：H10W72/20；该发明授权半导体模块和半导体模块的制造方法是由加藤辽一;池田良成;西泽龙男;望月英司设计研发完成，并于2021-01-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体模块和半导体模块的制造方法在说明书摘要公布了：本发明提供半导体模块和半导体模块的制造方法。利用简单的结构降低凸块伴随热应力产生的变形而提高装置的可靠性。半导体模块1包括：层叠基板2，其是在绝缘板20的上表面配置有电路图案22并在绝缘板的下表面配置有散热板21而成的；以及半导体元件3，其在上表面配置有集电极30，在下表面配置有发射极电极32和栅电极31，发射极电极和栅电极经由凸块B与电路图案的上表面接合。凸块由金属烧结材料形成为中间部分比接合部分凹陷的形状。
本发明授权半导体模块和半导体模块的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体模块，其特征在于， 该半导体模块包括： 层叠基板，其是在绝缘板的上表面配置有电路图案并在所述绝缘板的下表面配置有散热板而成的；以及 半导体元件，其在上表面配置有集电极，在下表面配置有发射极电极和栅电极，所述发射极电极和所述栅电极经由凸块与所述电路图案的上表面接合， 所述凸块由金属烧结材料形成为中间部分比接合部分凹陷的形状， 所述发射极电极配置于比所述栅电极靠所述层叠基板的外侧的位置， 该半导体模块还包括与所述集电极接合的块电极， 所述块电极具有： 平板部，其覆盖所述半导体元件的上方；以及 一对突出部，其自所述平板部的两端朝向所述电路图案突出而与所述电路图案接合， 所述一对突出部沿着所述绝缘板的相对的两条边配置， 所述发射极电极位于比所述栅电极靠所述一对突出部侧的位置， 所述发射极电极利用多个所述凸块与所述电路图案接合， 多个所述凸块沿着所述一对突出部的延伸方向并列配置， 所述半导体元件在所述平板部的下方配置有多个， 各半导体元件的所述栅电极以在所述平板部的中央相对的方式配置。
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