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龙图腾网获悉长江先进存储产业创新中心有限责任公司申请的专利三维相变存储器及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113871414B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111263727.5，技术领域涉及：H10B63/10；该发明授权三维相变存储器及其制造方法是由刘峻设计研发完成，并于2021-10-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本三维相变存储器及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种三维相变存储器及其制造方法，其通过相应的布线工艺来制造每层相变存储单元所需的字线和位线，且在形成第一布线之后且在形成第二布线之前，完成相变存储单元的制造，且使得字线和位线分别与相应的触点与相变存储单元的相应电极电性连接，能够使得相变存储单元的形状和尺寸不再完全依赖于字线和位线交叉点处的重叠情况，有利于实现更小的器件尺寸和更高的存储密度，改善字线和位线引入的寄生效应，降低相变存储器的编程电流和电源要求。且当分别采用相应的单次曝光技术来制作位线、相变存储单元和字线时，能够避免现有技术中使用双重图案化技术来制作字线和位线时所带来的工艺复杂性和成本。

本发明授权三维相变存储器及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种三维相变存储器的制造方法，其特征在于，包括： 在一衬底上形成第一介质层，并对所述第一介质层进行光刻和刻蚀，以形成沿第一方向延伸的若干条第一沟槽，所述衬底具有存储区以及位于存储区外围的外围区； 形成填充于各条第一沟槽中的第一布线； 在所述第一介质层和所述第一布线上覆盖第二介质层，并对所述第二介质层进行光刻和刻蚀，以在每条所述第一布线上形成若干第一接触孔，所述第一介质层和所述第二介质层组成第一层间介质层； 形成填充于各个第一接触孔中的第一触点； 在所述第一层间介质层上形成若干相互间隔开的相变存储单元，每个所述相变存储单元具有底电极以及顶电极，所述底电极与相应的第一触点对准且电性接触； 形成第二层间介质层，所述第二层间介质层填充相邻所述相变存储单元之间的间隙并将各个所述相变存储单元的顶部掩埋在内； 采用第二布线工艺在所述第二层间介质层中形成所需的第二触点，并在所述第二层间介质层上形成若干条第二布线，每个所述第二触点与相应的所述相变存储单元的顶电极对准且电性接触，每条所述第二布线通过相应的所述第二触点与相应的所述相变存储单元的顶电极电性连接，其中，所述第一布线为位线且所述第二布线为字线，或者，所述第一布线为字线且所述第二布线为位线； 所述制造方法还包括：通过多层金属互连工艺在所述外围区中形成多层金属互连结构，其中，所述第一布线工艺为所述多层金属互连工艺中某一层金属布线的形成工艺，所述第二布线工艺为所述多层金属互连工艺中另一层金属布线的形成工艺，以使得所述第一布线与所述多层金属互连结构中的一层金属布线为同一层金属，所述第二布线与所述多层金属互连结构中的另一层金属布线为同一层金属。

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