买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉美光科技公司申请的专利竖直三维(3D)存储器的三节点存取装置中的沟道集成获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114068427B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110778253.1，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权竖直三维(3D)存储器的三节点存取装置中的沟道集成是由S·E·西里斯;J·A·斯迈思三世;李时雨;G·S·桑胡;A·赛伊迪·瓦赫达设计研发完成，并于2021-07-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本竖直三维(3D)存储器的三节点存取装置中的沟道集成在说明书摘要公布了：本申请涉及竖直三维3D存储器的三节点存取装置中的沟道集成。实例方法包含一种用于形成具有水平定向的存取装置和竖直定向的存取线的竖直堆叠存储器单元阵列的方法。所述方法包含在重复迭代中沉积电介质材料和牺牲材料的交替层以形成竖直堆叠。蚀刻过程用于形成暴露所述竖直堆叠中邻近于第一区的竖直侧壁的第一竖直开口。选择性地蚀刻所述第一区以形成从所述第一竖直开口向后第一水平距离的去除所述牺牲材料的第一水平开口。第一源极漏极材料、具有背沟道钝化的替换沟道材料和第二源极漏极材料沉积在所述第一水平开口中以形成所述竖直堆叠存储器单元阵列当中的存储器单元的所述三节点存取装置。

本发明授权竖直三维(3D)存储器的三节点存取装置中的沟道集成在权利要求书中公布了：1.一种用于形成竖直堆叠存储器单元阵列101的方法，所述阵列101具有水平定向的存取装置230,330,998,1342和竖直定向的存取线103,203,303,540,640,740,840,940,1240,1340，所述方法包括： 在重复迭代中沉积电介质材料430,530,630,730,830,930和牺牲材料432,532,632,732的交替层以形成竖直堆叠401； 使用第一蚀刻过程形成第一竖直开口500，其暴露所述竖直堆叠401中邻近于所述牺牲材料432,532,632,732的第一部分的竖直侧壁； 选择性地蚀刻所述牺牲材料432,532,632,732的所述第一部分以形成第一水平开口833，其去除第一区742,842,942中的所述牺牲材料432,532,632,732且从所述第一竖直开口500向后第一水平距离；以及 在所述第一水平开口833中沉积第一源极漏极材料998-1A、具有背沟道钝化的替换沟道材料1275和第二源极漏极材料998-1C，以形成所述竖直堆叠存储器单元阵列101当中的存储器单元110的三节点存取装置230,330,998,1342。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人美光科技公司，其通讯地址为：美国爱达荷州；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。