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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利页缓冲器电路和包括页缓冲器电路的非易失性存储器装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114078535B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110684480.8，技术领域涉及：G11C16/26；该发明授权页缓冲器电路和包括页缓冲器电路的非易失性存储器装置是由曺溶成;田炳宽设计研发完成，并于2021-06-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本页缓冲器电路和包括页缓冲器电路的非易失性存储器装置在说明书摘要公布了：提供了页缓冲器电路和包括页缓冲器电路的非易失性存储器装置。非易失性存储器装置包括包含存储器单元的存储器单元阵列和页缓冲器电路。页缓冲器电路包括多个页缓冲器单元和多个高速缓存锁存器。多个高速缓存锁存器沿第一水平方向与多个页缓冲器单元间隔开，并对应于多个页缓冲器单元中的相应页缓冲器单元。每个页缓冲器单元包括连接到每个感测节点并响应于传输控制信号而被驱动的传输晶体管。页缓冲器电路被配置为基于执行用于将从第一部分页缓冲器单元提供的数据从第一部分高速缓存锁存器输出到数据输入输出IO线的第一数据输出操作，执行被配置为将来自第二部分页缓冲器单元的感测数据转储到第二部分高速缓存锁存器的数据传送操作。

本发明授权页缓冲器电路和包括页缓冲器电路的非易失性存储器装置在权利要求书中公布了：1.一种非易失性存储器装置，所述非易失性存储器装置包括： 存储器单元阵列，包括多个存储器单元；以及 页缓冲器电路，包括多个页缓冲器单元和多个高速缓存锁存器，所述多个页缓冲器单元沿第一水平方向布置并且通过多条位线连接到所述多个存储器单元中的每个，所述多个高速缓存锁存器沿第一水平方向与所述多个页缓冲器单元间隔开，所述多个高速缓存锁存器与所述多个页缓冲器单元中的相应的页缓冲器单元对应， 所述多个页缓冲器单元中的每个包括连接到每个感测节点并且响应于传输控制信号而被驱动的传输晶体管，并且 页缓冲器电路被配置为：基于执行第一数据输出操作而执行数据传送操作，第一数据输出操作用于将数据从所述多个高速缓存锁存器之中的第一部分高速缓存锁存器输出到数据输入输出线，所述数据是从所述多个页缓冲器单元之中的第一部分页缓冲器单元提供的用在第一数据输出操作中的数据，数据传送操作被配置为将来自所述多个页缓冲器单元之中的第二部分页缓冲器单元的感测数据转储到所述多个高速缓存锁存器之中的第二部分高速缓存锁存器， 其中，页缓冲器电路被配置为在将来自第二部分页缓冲器单元的感测数据转储到第二部分高速缓存锁存器的同时，输出来自第一部分高速缓存锁存器的所述数据。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道水原市；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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