美光科技公司何德平获国家专利权
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龙图腾网获悉美光科技公司申请的专利使用多个错误控制操作的存储器数据校正获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114078547B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110947433.8，技术领域涉及：G11C16/34；该发明授权使用多个错误控制操作的存储器数据校正是由何德平;梁卿设计研发完成，并于2021-08-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本使用多个错误控制操作的存储器数据校正在说明书摘要公布了：本申请涉及使用多个错误控制操作的存储器数据校正。可接收单个命令以校正在由存储器阵列存储的数据中检测到的错误。可基于所述单个命令实施第一错误控制操作和第二错误控制操作。可使用一或多个不同参考电压读取所述数据对由所述存储器阵列存储的所述数据进行所述第一错误控制操作。可在进行所述第一错误控制操作之后确定所述错误仍在所述数据中。可接着对由所述存储器阵列存储的所述数据进行所述第二错误控制操作。所述第二错误控制操作可使用与所述存储器阵列的存储器单元相关联的一或多个电压分布。
本发明授权使用多个错误控制操作的存储器数据校正在权利要求书中公布了：1.一种存储器设备，其包括： 存储器阵列；以及 控制器，其与所述存储器阵列耦合且配置成使得所述存储器设备： 接收单个命令以校正在由所述存储器阵列的多个单层级单元SLC存储器单元存储的数据中检测到的错误，其中所述单个命令包括与进行第一错误控制操作以及第二错误控制操作两者相关联的单个操作码，所述第二错误控制操作不同于所述第一错误控制操作； 至少部分地基于接收到所述单个命令对存储在所述多个SLC存储器单元的所述数据进行所述第一错误控制操作，所述第一错误控制操作使用由所述存储器阵列存储的一或多个不同参考电压从所述多个SLC存储器单元读取所述数据； 在进行所述第一错误控制操作之后确定所述错误仍在所述数据中；以及 至少部分地基于接收到所述单个命令且确定所述错误仍在存储在所述多个SLC存储器单元的所述数据中对存储在所述多个SLC存储器单元的所述数据进行所述第二错误控制操作，所述第二错误控制操作包括： 识别与所述多个SLC存储器单元相关联的一或多个电压分布；及 至少部分地基于所述一或多个电压分布选择第二参考电压以读取存储在所述多个SLC存储器单元的所述数据。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人美光科技公司，其通讯地址为：美国爱达荷州；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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