惠州华星光电显示有限公司;深圳市华星光电半导体显示技术有限公司陈黎暄获国家专利权
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龙图腾网获悉惠州华星光电显示有限公司;深圳市华星光电半导体显示技术有限公司申请的专利晶体管及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114141708B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111373226.2，技术领域涉及：H10D84/01；该发明授权晶体管及其制作方法是由陈黎暄;曹蔚然设计研发完成，并于2021-11-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本晶体管及其制作方法在说明书摘要公布了：本申请提供一种晶体管及其制作方法，晶体管的制作方法，包括：提供基板、溶液、有源层材料及辅助电极；基板包括依次叠设在一起的衬底、栅极及栅极绝缘层；有源层材料分散在溶液中，分散在溶液中的有源层材料带电；将辅助电极置于基板的一侧且面向栅极；并将溶液置于辅助电极和栅极绝缘层之间；及给栅极及辅助电极通电，以在辅助电极和栅极之间形成电场；栅极的电性与溶液中的有源层材料所带的电性相反，有源层材料在电场的作用下沉积在栅极绝缘层上，以形成有源层。本申请提供的晶体管及其制作方法能够实现底栅极和有源层的自对准。
本发明授权晶体管及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种晶体管的制作方法，其特征在于，包括： 提供基板、溶液、有源层材料及辅助电极；其中，所述基板包括依次叠设在一起的一衬底、至少一栅极及一栅极绝缘层；所述有源层材料分散在所述溶液中，分散在所述溶液中的所述有源层材料带电； 将所述辅助电极置于所述基板的一侧；并将所述溶液置于所述辅助电极和所述栅极绝缘层之间；及 给所述栅极及所述辅助电极通电，以在所述辅助电极和所述栅极之间形成电场；所述栅极的电性与溶液中的所述有源层材料所带的电性相反，所述有源层材料在所述电场的作用下沉积在所述栅极绝缘层上，以形成有源层。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人惠州华星光电显示有限公司;深圳市华星光电半导体显示技术有限公司，其通讯地址为：516000 广东省惠州市仲恺高新区陈江街道华星大道6号模组厂房A一楼；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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