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龙图腾网获悉意法半导体(鲁塞)公司申请的专利用于串行EEPROM的新的存储器架构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114155890B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111038221.4，技术领域涉及：G11C8/08；该发明授权用于串行EEPROM的新的存储器架构是由L·穆里洛设计研发完成，并于2021-09-06向国家知识产权局提交的专利申请。

本用于串行EEPROM的新的存储器架构在说明书摘要公布了：本公开的实施例涉及用于串行EEPROM的新的存储器架构。在一个实施例中，一种电可擦除可编程可读存储器包括：多个存储器单元，所述多个存储器单元组织在以矩阵方式排列成行和列的存储器平面中，其中，每个存储器单元包括具有源极区、漏极区、位于漏极侧的注入窗口、控制栅极和浮置栅极的状态晶体管和具有源极区、漏极区和栅极的隔离晶体管；以及隔离屏障，包括掩埋层和从掩埋层延伸到衬底的表面的至少一个壁，其中，至少一个壁垂直于掩埋层，并且其中，隔离屏障形成围绕存储器单元中的至少一个并将其与衬底的其余部分隔离的内部衬底。

本发明授权用于串行EEPROM的新的存储器架构在权利要求书中公布了：1.一种电可擦除可编程只读存储器类型的存储器，被布置在半导体衬底中和半导体衬底上，所述存储器包括： 多个存储器单元，所述多个存储器单元被组织在以矩阵方式排列成行和列的存储器平面中，每个存储器单元包括： 状态晶体管，所述状态晶体管包括源极区、漏极区、注入窗口、控制栅极和浮置栅极，所述注入窗口位于所述漏极的一侧；和 隔离晶体管，具有源极区、漏极区和栅极；以及 隔离屏障，包括： 掩埋层；以及 至少一个壁，从所述掩埋层延伸到所述衬底的表面， 其中所述至少一个壁垂直于所述掩埋层，以及 其中所述隔离屏障形成内部衬底，所述内部衬底围绕所述存储器单元中的至少一个存储器单元，并且将所述至少一个存储器单元与所述衬底的其余部分隔离； 其中所述状态晶体管的所述控制栅极被连接到所述存储器的控制栅极线， 其中所述隔离晶体管的所述源极区被连接到所述存储器的源极线， 其中所述隔离晶体管的所述栅极被连接到所述存储器的字线，以及 其中所述状态晶体管的所述漏极区被连接到位线； 其中所述隔离屏障被配置为将所述存储器平面的所有存储器单元隔离在一起； 还包括：电路装置，用于擦除存储器字，所述电路装置被配置为： 使所述位线浮置， 将第一正电压施加至与要被擦除的存储器字的所述存储器单元相关联的所述控制栅极线， 将与要被擦除的所述存储器字不相关联的所述存储器单元的所述控制栅极线接地， 将所述字线接地， 将所述源极线接地，以及 将所述内部衬底接地。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人意法半导体(鲁塞)公司，其通讯地址为：法国鲁塞；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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