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龙图腾网获悉中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))申请的专利缺陷提取方法和缺陷提取系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114242605B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111290086.2，技术领域涉及：H10P74/00；该发明授权缺陷提取方法和缺陷提取系统是由彭超;高汭设计研发完成，并于2021-11-02向国家知识产权局提交的专利申请。

本缺陷提取方法和缺陷提取系统在说明书摘要公布了：本发明提供了一种缺陷提取方法和缺陷提取系统，缺陷提取方法包括：提供待测样品，待测样品中存在因应力而产生的栅氧化层缺陷；对待测样品的栅极施加不同的放电电压，获取各放电电压下的阈值电压漂移，阈值电压漂移与放电电压一一对应，根据阈值电压漂移与放电电压的一一对应关系得到阈值电压漂移随放电电压的变化曲线；将待测样品的放电电压转换为栅氧硅界面处的费米能级相对价带的位置；将待测样品的阈值电压漂移转换为栅氧等效缺陷密度；将待测样品的阈值电压漂移随放电电压的变化曲线转换为待测样品的栅氧等效缺陷密度随待测样品的栅氧硅界面处的费米能级相对价带的位置的变化曲线，即得到待测样品的缺陷能级分布信息。

本发明授权缺陷提取方法和缺陷提取系统在权利要求书中公布了：1.一种缺陷提取方法，其特征在于，所述方法包括： 提供待测样品，所述待测样品中存在因应力而产生的栅氧化层缺陷； 对所述待测样品的栅极施加不同的放电电压，获取各所述放电电压下的阈值电压漂移，所述阈值电压漂移与所述放电电压一一对应，根据所述阈值电压漂移与所述放电电压的一一对应关系得到所述阈值电压漂移随所述放电电压的变化曲线； 根据以下表面势方程计算所述待测样品在受应力前对应的各所述放电电压时的栅氧硅界面处的费米能级相对价带的位置： 其中，EF为费米能级位置，EV为价带能级，Eg为硅的禁带宽度；EF-EV界面为待测样品的栅氧硅界面处的费米能级相对价带的位置；EF-EV体内为所述待测样品的衬底内部费米能级相对价带位置；φs为表面势；n为衬底电子浓度；NC为导带有效状态密度；Vg为栅电压；Vfb为平带电压；Cox为栅氧面电容；εSi为硅介电常数；q为基本电荷量；ND为待测样品的衬底掺杂浓度；此处，栅电压与待测样品受应力产生缺陷后对栅极施加的放电电压相同； 采用TCADTechnologyComputerAidedDesign，建立在半导体物理基础之上的数值仿真工具仿真方法基于待测样品受应力后的阈值电压对受应力前的对应各放电电压时的栅氧硅界面处的费米能级相对价带的位置进行校准； 将所述待测样品的阈值电压漂移转换为栅氧等效缺陷密度； 将所述待测样品的阈值电压漂移随所述放电电压的变化曲线转换为所述待测样品的栅氧等效缺陷密度随所述待测样品的栅氧硅界面处的费米能级相对价带的位置的变化曲线，即得到所述待测样品的缺陷能级分布信息。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))，其通讯地址为：511300 广东省广州市增城区朱村街朱村大道西78号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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