中国科学院国家空间科学中心朱皓天获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院国家空间科学中心申请的专利一种用于二极管在片测试的“桥墩式”结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114284246B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111657006.2，技术领域涉及：H10P74/00；该发明授权一种用于二极管在片测试的“桥墩式”结构及其制备方法是由朱皓天;刘锶钰;张德海;孟进设计研发完成，并于2021-12-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种用于二极管在片测试的“桥墩式”结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种用于二极管在片测试的“桥墩式”结构及其制备方法，所述结构包括：设置在硅垫片上的“桥墩式”结构，所述“桥墩式”结构包括两个柱体或台体，用于支撑待测单片电路和在测试时承受探针的压力。所述方法将硅片按照待测单片电路的结构进行光刻图形定义，“桥墩式”结构位置采用光刻胶进行保护，然后按照光刻图形进行深硅刻蚀，将完整厚度的硅片整体刻穿，形成“桥墩式”结构；选择一个完整硅片作为硅垫片，在硅垫片上旋涂一层光刻胶使硅垫片与“桥墩式”结构稳定连接，烘干后通过十字对准结构将单片电路装配在已刻蚀的硅片表面，形成用于二极管在片测试的“桥墩式”结构。本发明改善了单片基板厚度对二极管寄生参数提取的影响。
本发明授权一种用于二极管在片测试的“桥墩式”结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种用于二极管在片测试的“桥墩式”结构，其特征在于，所述结构包括： 设置在硅垫片2上的“桥墩式”结构1，所述“桥墩式”结构1包括两个柱体或台体，用于支撑待测单片电路和在测试时承受探针的压力； 所述硅垫片2表面有一层光刻胶3，所述光刻胶3用于使所述硅垫片2与所述“桥墩式”结构1的底部稳定连接； 所述“桥墩式”结构1的表面有一层光刻胶3，用于在装配待测单片电路时，通过在其正面设置对准结构实现待测单片电路与所述“桥墩式”结构1的对准，从而将待测单片电路装配在“桥墩式”结构1表面的光刻胶3上； 所述的二极管为太赫兹肖特基二极管； 所述的待测单片电路的基板厚度减薄到与实际太赫兹肖特基二极管单片电路的厚度一致。
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