中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司纪世良获国家专利权
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龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114496922B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011158240.6，技术领域涉及：H10D84/03；该发明授权半导体结构及其形成方法是由纪世良设计研发完成，并于2020-10-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底，基底包括相间隔的第一区域和第二区域，位于第一区域的堆叠结构作为第一堆叠结构，位于第二区域的堆叠结构作为第二堆叠结构；形成保形覆盖第一堆叠结构、第二堆叠结构，且包围第一堆叠结构和第二堆叠结构之间间隔区域的第一介电层，在第一堆叠结构和第二堆叠结构之间形成空气墙；在第一堆叠结构和第二堆叠结构背离所述空气墙的一侧形成第二介电层。本申请实施例，形成介电墙的过程中，第一堆叠结构和第二堆叠结构远离介电墙一侧的第一介电层和第二介电层，能够给第一堆叠结构和第二堆叠结构提供支撑，使得第一堆叠结构和第二堆叠结构的形貌质量好，有利于提高半导体结构的电学性能。
本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括： 提供基底，所述基底包括相间隔的第一区域和第二区域，所述基底包括衬底和多个分立于所述衬底上的堆叠结构，位于所述第一区域的所述堆叠结构作为第一堆叠结构，位于所述第二区域的所述堆叠结构作为第二堆叠结构； 形成保形覆盖所述第一堆叠结构、第二堆叠结构，且包围所述第一堆叠结构和第二堆叠结构之间间隔区域的第一介电层，在所述第一堆叠结构和第二堆叠结构之间形成空气墙； 形成所述空气墙后，在所述第一堆叠结构和第二堆叠结构背离所述空气墙的一侧形成第二介电层； 去除所述空气墙顶部的所述第一介电层； 去除所述空气墙顶部的所述第一介电层后，在所述第一堆叠结构和第二堆叠结构之间的所述间隔区域中形成介电墙。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司，其通讯地址为：201203 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区张江路18号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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