买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉脉砥微电子(杭州)有限公司申请的专利一种应用于自供能芯片系统的低漏电启动电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114567156B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210398186.5，技术领域涉及：H02M1/36；该发明授权一种应用于自供能芯片系统的低漏电启动电路是由吴汉设计研发完成，并于2022-04-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种应用于自供能芯片系统的低漏电启动电路在说明书摘要公布了：本发明公开了一种应用于自供能芯片系统的低漏电启动电路，包括二极管串联电路、片上电容、反相器以及电平转换器；本发明启动电路用于检测自供能芯片系统储能电容的电压信号，在该电压信号低于启动电路设定阈值前，自供能芯片系统其他电路模块均关闭，以此避免在能量收集过程中由于其他电路模块的非稳定态持续漏电大于能量收集模块所收集到的能量，导致整个能量收集网络正常工作。本发明启动电路可确保储能电容电压高于自供能芯片系统最低工作电压时开启芯片工作状态，确保能量收集正常工作为自供能芯片系统供电。

本发明授权一种应用于自供能芯片系统的低漏电启动电路在权利要求书中公布了：1.一种应用于自供能芯片系统的低漏电启动电路，其特征在于，包括：二极管串联电路、片上电容、反相器以及电平转换器，其中： 所述二极管串联电路的一端接系统片外储能电容电压VDD，另一端与片上电容的一端以及反相器的输入端相连，片上电容的另一端接地，该电路用于判断VDD与片上电容一端的电压差，以此决定是否对片上电容进行充电； 所述电平转换器以反相器的输入和输出作为一对互补的驱动信号，使片上电容电压在GND与VDD两种状态下转换，以保证输出的启动信号可直接用于系统其他电路模块的开通和关断； 所述电平转换器由两组驱动管、驱动负载以及反相电路组成，具体包括三个NMOS管Mn1～Mn3以及五个PMOS管Mp1～Mp5，其中PMOS管Mp3的源极与PMOS管Mp4的源极以及PMOS管Mp5的源极相连并接VDD，PMOS管Mp3的漏极与PMOS管Mp4的栅极以及PMOS管Mp1的源极相连，PMOS管Mp4的漏极与PMOS管Mp3的栅极以及PMOS管Mp2的源极相连，PMOS管Mp1的栅极与NMOS管Mn1的栅极相连并接反相器的输入端，PMOS管Mp1的漏极与NMOS管Mn1的漏极、PMOS管Mp5的栅极以及NMOS管Mn3的栅极相连，NMOS管Mn1的源极接地，PMOS管Mp2的栅极与NMOS管Mn2的栅极相连并接反相器的输出端，PMOS管Mp2的漏极与NMOS管Mn2的漏极相连，NMOS管Mn2的源极接地，PMOS管Mp5的漏极与NMOS管Mn3的漏极相连并产生启动信号，NMOS管Mn3的源极接地。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人脉砥微电子(杭州)有限公司，其通讯地址为：311200 浙江省杭州市萧山区建设三路733号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。