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龙图腾网获悉南通尚阳通集成电路有限公司申请的专利氧化层的形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114582706B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011370085.4，技术领域涉及：H10P14/69；该发明授权氧化层的形成方法是由曾大杰;郑辉设计研发完成，并于2020-11-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本氧化层的形成方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种氧化层的形成方法，包括：步骤一、在硅衬底表面上形成多晶硅层，多晶硅层的厚度按照所需要的第一氧化层的厚度进行设置；步骤二、采用热氧化工艺将多晶硅层全部氧化形成所述第一氧化层，利用多晶硅层的氧化速率快于硅衬底的氧化速率的特点，降低形成第一氧化层的热过程，以控制硅衬底上的掺杂杂质的扩散。本发明能降低氧化层的形成工艺的热过程并能控制氧化层的形成工艺中硅衬底上的掺杂杂质的扩散，从而能防止形成厚的氧化层时对器件性能造成不利影响。

本发明授权氧化层的形成方法在权利要求书中公布了：1.一种氧化层的形成方法，其特征在于，包括如下步骤： 步骤一、提供硅衬底，在所述硅衬底表面上进行多晶硅沉积形成多晶硅层，所述多晶硅层的厚度按照所需要的第一氧化层的厚度进行设置； 所述硅衬底表面上形成有硅外延层，所述多晶硅层形成于所述硅外延层表面上； 所述硅衬底具有第一导电类型重掺杂结构，所述硅外延层具有第一导电类型轻掺杂结构； 步骤二、采用热氧化工艺将所述多晶硅层全部氧化形成所述第一氧化层，利用所述多晶硅层的氧化速率快于所述硅衬底的氧化速率的特点，降低形成所述第一氧化层的热过程，以控制所述硅衬底上的掺杂杂质的扩散； 步骤一中，所述多晶硅层形成之后，还包括对所述多晶硅层进行掺杂的步骤，利用掺杂后的所述多晶硅层的氧化速率会增加的特点进一步降低所述第一氧化层的热过程； 所述多晶硅层分成了多个多晶硅子层，所述第一氧化层也分成了多个第一氧化子层；各层所述第一氧化子层由对应层的所述多晶硅子层热氧化形成； 各层所述多晶硅子层的采用步骤一的所述多晶硅沉积工艺形成，各层所述多晶硅子层对应的所述第一氧化子层采用步骤二的所述热氧化工艺形成；重复和所述多晶硅子层的层数相同次数的步骤一的所述多晶硅沉积工艺和步骤二的所述热氧化工艺形成所述第一氧化层； 利用多晶硅的厚度越薄氧化速率越快的特点，所述多晶硅层拆分为各所述多晶硅子层后使所述多晶硅层的最终氧化速率由各所述多晶硅子层的氧化速率确定，从而能提高所述多晶硅层的最终氧化速率并降低形成所述第一氧化层的热过程； 步骤一中，在形成所述多晶硅层之前，还包括对所述硅衬底进行热氧化形成第二氧化层的步骤；所述多晶硅层形成在所述第二氧化层的表面，步骤二完成后，由所述第一氧化层和所述第二氧化层叠加形成总氧化层；通过所述第二氧化层提高所述总氧化层和所述硅衬底之间的界面。

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