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龙图腾网获悉京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司申请的专利显示基板、显示面板和显示装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114586155B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080002207.6，技术领域涉及：H10D86/60；该发明授权显示基板、显示面板和显示装置是由贵炳强;于洋;黄鹏;高涛;李文强;刘珂设计研发完成，并于2020-09-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本显示基板、显示面板和显示装置在说明书摘要公布了：提供一种显示基板、显示面板和显示装置。显示基板包括衬底基板；设置于所述衬底基板的第一晶体管。所述第一晶体管包括第一有源层、第一底栅和第一顶栅，所述第一底栅位于所述衬底基板与所述第一有源层之间，所述第一顶栅位于所述第一有源层远离所述衬底基板的一侧，所述第一有源层、所述第一底栅和所述第一顶栅中的任意两个在所述衬底基板上的正投影彼此至少部分重叠，所述第一底栅和所述第一有源层之间设置有第三栅绝缘层，所述第一有源层包括氧化物半导体材料，所述第三栅绝缘层包括氧化硅材料，所述第一顶栅远离所述衬底基板的表面与所述氧化硅材料直接接触，所述第一有源层靠近所述衬底基板的表面与所述氧化硅材料直接接触。

本发明授权显示基板、显示面板和显示装置在权利要求书中公布了：1.一种显示基板，其中，所述显示基板包括： 衬底基板；以及 设置于所述衬底基板的第一晶体管， 其中，所述第一晶体管包括第一有源层、第一底栅和第一顶栅，所述第一底栅位于所述衬底基板与所述第一有源层之间，所述第一顶栅位于所述第一有源层远离所述衬底基板的一侧，所述第一有源层、所述第一底栅和所述第一顶栅中的任意两个在所述衬底基板上的正投影彼此至少部分重叠，所述第一底栅和所述第一有源层之间设置有第三栅绝缘层，所述第一有源层包括氧化物半导体材料，所述第三栅绝缘层包括氧化硅材料，所述第一顶栅远离所述衬底基板的表面与所述氧化硅材料直接接触，所述第一有源层靠近所述衬底基板的表面与所述氧化硅材料直接接触； 所述显示基板包括存储电容器，所述存储电容器包括设置于所述衬底基板的第一电容结构、第二电容结构和第三电容结构，所述第三电容结构位于所述第一电容结构远离所述衬底基板的一侧，所述第二电容结构位于所述第一电容结构和所述第三电容结构之间，所述第一电容结构、所述第二电容结构和所述第三电容结构中的任意两者在所述衬底基板上的正投影至少部分重叠； 所述第一电容结构和所述第三电容结构彼此电连接，以形成所述存储电容器的第一电容电极，所述第二电容结构形成所述存储电容器的第二电容电极； 所述显示基板包括设置于所述衬底基板的第一导电层，所述显示基板还包括第三晶体管，所述第三晶体管包括第三栅极，所述第一电容结构和所述第三晶体管的第三栅极均位于所述第一导电层； 所述显示基板包括设置于所述衬底基板的第二导电层和第二半导体层，所述第二导电层位于所述第一导电层与所述第二半导体层之间，所述第一底栅和所述第二电容结构均位于所述第二导电层； 所述显示基板包括设置于所述衬底基板的第三导电层，所述第三导电层位于所述第二半导体层远离所述衬底基板的一侧； 所述第一顶栅和所述第三电容结构均位于所述第三导电层，或者，所述第一有源层和所述第三电容结构均位于所述第二半导体层。

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