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龙图腾网获悉住友电气工业株式会社申请的专利碳化硅半导体装置及碳化硅半导体装置的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114600250B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080074984.1，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权碳化硅半导体装置及碳化硅半导体装置的制造方法是由畑山智亮;增田健良;原田信介设计研发完成，并于2020-10-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本碳化硅半导体装置及碳化硅半导体装置的制造方法在说明书摘要公布了：碳化硅半导体装置具有碳化硅基板、第一电极及第二电极。碳化硅基板具有第一主面、第二主面、第一杂质区域、第二杂质区域及第三杂质区域。第一电极在第一主面处与第二杂质区域及第三杂质区域的各自相接。第二电极在第二主面处与第一杂质区域相接。第二杂质区域包含第一区域和处于第一区域与第二主面之间且与第一区域相接的第二区域。第一区域的杂质浓度为6×1016cm‑3以上。

本发明授权碳化硅半导体装置及碳化硅半导体装置的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种碳化硅半导体装置，具备： 碳化硅基板，具有：第一主面；与所述第一主面相对的第二主面；第一杂质区域，构成所述第二主面的至少一部分，且具有第一导电类型；第二杂质区域，构成所述第一主面的至少一部分，与所述第一杂质区域相接而设置，且具有与所述第一导电类型不同的第二导电类型；及第三杂质区域，以被从所述第一杂质区域隔开的方式与所述第二杂质区域相接而设置，且具有所述第一导电类型； 第一电极，在所述第一主面处与所述第二杂质区域及所述第三杂质区域的各自相接；及 第二电极，在所述第二主面处与所述第一杂质区域相接， 所述第二杂质区域包含第一区域和处于所述第一区域与所述第二主面之间且与所述第一区域相接的第二区域， 所述第一区域的杂质浓度为6×1016cm-3以上，所述第二区域的杂质浓度为6×1016cm-3以上， 所述第一杂质区域具有缓冲层和第一超结区域，所述第一超结区域设置于所述缓冲层上， 所述第二区域具有第二超结区域，所述第二超结区域设置于所述缓冲层上， 所述第一超结区域和所述第二超结区域构成超结区域， 所述第一超结区域与所述第二超结区域相接， 在将作为与所述第二主面平行的所述第二超结区域的短边方向设为第一方向的情况下，在所述第一方向上，所述第一超结区域和所述第二超结区域交替配置， 所述第二区域还具有第二接合区域以及第三接合区域，所述第二接合区域设置在所述第二超结区域上，所述第二接合区域的中央的宽度以比上下各自的宽度大的方式扩张，所述第三接合区域分别与所述第二接合区域及所述第一区域相接，在所述第一方向上，所述第二接合区域的最大宽度大于所述第二超结区域的宽度。

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