中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司李大烨获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司申请的专利一种先通孔双镶嵌的制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114628317B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011443168.1，技术领域涉及：H10W20/00；该发明授权一种先通孔双镶嵌的制作方法是由李大烨;南兑浩;周娜;李俊杰;李琳;王佳设计研发完成，并于2020-12-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种先通孔双镶嵌的制作方法在说明书摘要公布了：本申请涉及半导体制造领域，具体涉及一种先通孔双镶嵌方法，包括以下步骤：在半导体衬底的介质层内形成连接孔通孔；在所述介质层的上方以及连接孔通孔内形成水溶性聚合物层；在所述水溶性聚合物层上依次形成硬掩膜层旋涂硬掩膜层、底部抗反射层以及光刻胶图案；执行光刻、刻蚀工艺，以在所述通孔的上方形成与通孔连通的沟槽；在所述通孔以及所述沟槽内填充Cu。
本发明授权一种先通孔双镶嵌的制作方法在权利要求书中公布了：1.一种先通孔双镶嵌方法，其特征在于，包括以下步骤： 在半导体衬底的介质层内形成通孔； 在所述介质层的上方以及通孔内形成水溶性聚合物层； 在所述水溶性聚合物层上依次形成旋涂硬掩模层、底部抗反射层以及光刻胶图案； 执行光刻、刻蚀工艺，以在所述通孔的上方形成与通孔连通的沟槽； 在所述通孔以及所述沟槽内填充金属层。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司，其通讯地址为：100029 北京市朝阳区北土城西路3号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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