中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司王艳良获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114628487B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011468155.X，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权半导体结构及其形成方法是由王艳良;韩秋华;肖丽丽设计研发完成，并于2020-12-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底，包括器件区以及位于相邻所述器件区之间的隔离区，器件区的基底上形成有鳍部，器件区的基底上还形成有横跨鳍部的伪栅层，伪栅层覆盖鳍部的部分顶部和部分侧壁，隔离区的基底与位于隔离区两侧的伪栅层围成沟槽；在沟槽的侧壁形成应力缓冲层；形成应力缓冲层后，在沟槽内形成介电隔离结构；形成介电隔离结构后，去除伪栅层。应力缓冲层阻挡了介电隔离结构产生的高应力向伪栅层中进行释放的路径，从而降低因应力释放路径而在伪栅层中产生晶粒间界的概率，同时，降低了介电隔离层因发生变形而向伪栅层中扩散并形成凸起的概率，从而有利于后续将伪栅层去除干净，进而提高半导体结构的性能。
本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 基底，包括器件区以及位于相邻所述器件区之间的隔离区； 鳍部，位于所述器件区的基底上； 栅极层，位于所述器件区的基底上且横跨所述鳍部，所述栅极层覆盖所述鳍部的部分顶部和部分侧壁； 介电隔离结构，位于相邻所述栅极层之间的所述隔离区的基底上； 应力缓冲层，位于所述介电隔离结构的侧壁和所述栅极层的侧壁之间； 所述介电隔离结构围成开口； 所述半导体结构还包括：应力分担层，位于所述开口中。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司，其通讯地址为：201203 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区张江路18号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励