美光科技公司G·F·贝桑格获国家专利权
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龙图腾网获悉美光科技公司申请的专利块内存储电荷损失一致性的动态编程验证电压调整获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114639421B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111544962.X，技术领域涉及：G11C16/04；该发明授权块内存储电荷损失一致性的动态编程验证电压调整是由G·F·贝桑格;R·C·帕迪拉;T·欧帕斯特拉库恩;S·K·瑞特南;M·G·米勒;C·M·斯米奇赫盖尔;V·P·拉亚普鲁;A·马尔谢设计研发完成，并于2021-12-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本块内存储电荷损失一致性的动态编程验证电压调整在说明书摘要公布了：本申请涉及块内存储电荷损失一致性的动态编程验证电压调整。确定阈值电压分布移位量。所述阈值电压分布移位量对应于存储器装置的块的参考页的编程之后的时间量。基于所述阈值电压分布移位量调整编程验证电压以获得经调整编程验证电压。使用所述经调整编程验证电压，在与所述参考页的所述编程之后的所述时间量相对应的时间对所述块的时间上后续页进行编程。
本发明授权块内存储电荷损失一致性的动态编程验证电压调整在权利要求书中公布了：1.一种存储器子系统，其包括： 存储器装置；以及 处理装置，其可操作地与所述存储器装置耦合以执行包括以下各项的操作： 确定与所述存储器装置的块的参考页的编程之后的时间量相对应的阈值电压分布移位量； 获取一组校正因子，所述组校正因子中的每个校正因子对应于与所述块关联的一组存储器单元状态中的相应存储器单元状态，其中所述组存储器单元状态中的每个存储器单元状态都与相应的编程验证电压相关联； 对于所述组存储器单元状态中的每个存储器单元状态，获取一个相应的调整值，所述调整值基于所述阈值电压分布移位量乘以所述存储器单元状态的所述校正因子而定义； 对于所述组存储器单元状态中的每个存储器单元状态，通过从所述相应的编程验证电压中减去所述相应的调整值，获得相应的经调整编程验证电压；以及 使用所述经调整编程验证电压，对相对于所述参考页的所述块的后续页进行编程。
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