中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司周飞获国家专利权
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龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114639715B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011476694.8，技术领域涉及：H10D84/83；该发明授权半导体结构及其形成方法是由周飞设计研发完成，并于2020-12-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构及其形成方法，方法包括：提供基底，基底包括衬底以及位于衬底上多个分立的鳍部，鳍部露出的衬底上形成有隔离层，隔离层覆盖鳍部的部分侧壁，隔离层上形成有横跨鳍部的栅极结构，沿与鳍部的延伸方向相垂直的方向，基底包括相邻的第一器件区和第二器件区，第一器件区用于形成第一型晶体管，第二器件区用于形成第二型晶体管；依次刻蚀第一器件区与第二器件区交界处的栅极结构和隔离层，形成由栅极结构和隔离层围成的凹槽；在凹槽中形成扩散阻挡层；分别对扩散阻挡层两侧的第一器件区和第二器件区的鳍部进行沟道停止离子注入。扩散阻挡层减小每个器件区中的防穿通离子对其他器件区的影响，提高了半导体结构的性能。
本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 基底，所述基底包括衬底以及凸出于所述衬底的鳍部，沿与所述鳍部的延伸方向相垂直的方向，所述基底包括相邻的第一器件区和第二器件区，所述第一器件区用于形成第一型晶体管，所述第二器件区用于形成第二型晶体管，所述第一型和第二型不同； 隔离层，位于所述鳍部露出的所述衬底上，所述隔离层覆盖所述鳍部的部分侧壁； 防穿通离子掺杂区，位于所述隔离层顶面位置处下方的所述鳍部中；所述防穿通离子掺杂区用于抑制穿通效应； 扩散阻挡层，位于所述第一器件区与第二器件区交界处的所述隔离层中；所述扩散阻挡层用于使防穿通离子的扩散范围限定在各自的区域内； 器件栅极结构，横跨所述鳍部且覆盖所述鳍部的部分顶部和部分侧壁，所述器件栅极结构还覆盖所述扩散阻挡层。
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