中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司郑二虎获国家专利权
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龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114639716B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011487893.9，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权半导体结构及其形成方法是由郑二虎;叶逸舟;张高颖设计研发完成，并于2020-12-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底，包括器件区以及零层标记区；在零层标记区的基底内形成零层标记沟槽；填充零层标记沟槽，形成介电层；形成覆盖基底和介电层的鳍部掩膜材料层；在介电层和器件区的基底上方的鳍部掩膜材料层上形成核心层，核心层覆盖介电层的顶部；在核心层的侧壁形成掩膜侧墙；去除核心层；去除核心层后，以掩膜侧墙为掩膜刻蚀鳍部掩膜材料层，形成鳍部掩膜层；以鳍部掩膜层为掩膜刻蚀部分厚度的基底，刻蚀后剩余的基底作为衬底，位于器件区的衬底上的凸起作为鳍部，且在刻蚀基底的过程中，同时刻蚀部分厚度的介电层。本发明通过介电层填充零层标记沟槽，形成鳍部后，出现残留物缺陷或脱落缺陷的概率较低。
本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 衬底，包括器件区以及零层标记区，所述器件区包括用于形成第一型晶体管的第一子器件区、以及用于形成第二型晶体管的第二子器件区，所述第一型晶体管和第二型晶体管的沟道材料不同； 鳍部，凸立于所述器件区的衬底上，在所述第一子器件区或第二子器件区中，所述鳍部包括底部鳍部层、以及位于所述底部鳍部层顶部的沟道层，所述沟道层的材料与所述底部鳍部层的材料不同； 零层标记沟槽，位于所述零层标记区的衬底内，所述零层标记沟槽的顶部和衬底的顶部相齐平； 介电层，填充于所述零层标记沟槽中； 其中，所述沟道层还位于所述零层标记沟槽的侧壁和介电层之间、以及所述零层标记沟槽的底部和介电层之间。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司，其通讯地址为：201203 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区张江路18号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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