上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司;上海集成电路研发中心有限公司曹志军获国家专利权
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龙图腾网获悉上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司;上海集成电路研发中心有限公司申请的专利CMOS器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114664740B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210247958.5，技术领域涉及：H10D84/03；该发明授权CMOS器件及其制造方法是由曹志军;刘轶群设计研发完成，并于2022-03-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本CMOS器件及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种CMOS器件及其制造方法，应用于半导体技术领域。在本发明提供的CMOS器件的制造方法中，并不需要像现有技术那样为了避免位于NMOS区和PMOS区之间的预留边界区NP出现doubleetch的情况，而加宽预留边界区NP，本发明提供的制造方法允许预留边界区NP有一定宽度的doubleEtch，即形成所述开口，然后，在通过填充第二保护层的方式，将在形成源漏区过程中导致的预留边界区NP引起的doubleEtch产生的开口填平，进而避免了doubleEtch产生的开口增大后续工艺难度的同时，缩减了现有的预留边界区NP的宽度，并避免了由于现有的预留边界区NP的宽度较大对CMOS后续工艺产生不利影响的问题。
本发明授权CMOS器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种CMOS器件的制造方法，其特征在于，至少包括如下步骤： 步骤S1，提供一半导体衬底，所述半导体衬底包括PMOS区、NMOS区以及位于所述PMOS区和NMOS区之间的预留边界区，所述PMOS区和NMOS区的半导体衬底上分别形成有多个分立的鳍结构以及横跨在多个所述鳍结构上并围绕所述鳍结构的侧壁和顶面上的栅极结构，所述栅极结构包括依次堆叠设置的栅极介质层、栅极材料层和栅极隔离层； 步骤S2，刻蚀所述半导体衬底，并分别在所述PMOS区和NMOS区中形成位于所述栅极结构两侧的鳍结构中的源区和漏区，且同时在所述预留边界区上形成一底部至少暴露出部分栅极隔离层的开口； 步骤S3，在所述半导体衬底上依次沉积第一保护层和第二保护层，所述第一保护层至少填满所述源区和漏区，所述第二保护层至少填满所述开口； 步骤S4，去除所述第一保护层，并保留位于所述栅极结构顶面上的所述第二保护层。
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