成都芯源系统有限公司维平达斯·帕拉获国家专利权
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龙图腾网获悉成都芯源系统有限公司申请的专利制造宽带隙器件的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114724954B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210368993.2，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权制造宽带隙器件的方法是由维平达斯·帕拉;苏达尔桑·乌皮利设计研发完成，并于2022-04-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本制造宽带隙器件的方法在说明书摘要公布了：公开了制造宽带隙器件的方法。在同质衬底的表面生长外延层。在生长外延层后，将操作衬底通过界面层附着于同质衬底的另一表面。通过操作衬底提供机械支撑，使用低温制造工艺在外延层中制造宽带隙器件。在宽带隙器件制造完成后，将操作衬底从同质衬底分离。
本发明授权制造宽带隙器件的方法在权利要求书中公布了：1.一种制造宽带隙器件的方法，包括： 提供碳化硅的同质衬底； 在同质衬底的第一表面生长碳化硅外延层，所述碳化硅外延层以及所述同质衬底皆包括碳化硅； 在生长所述碳化硅外延层后，将硅操作衬底附着到同质衬底的第二表面，所述第二表面与所述第一表面相对； 在碳化硅外延层中制造宽带隙器件，制造宽带隙器件的热预算不超过1300℃；以及 宽带隙器件制造完成后，将硅操作衬底从同质衬底分离。
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