闽都创新实验室游正璋获国家专利权
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龙图腾网获悉闽都创新实验室申请的专利一种半导体外延结构及其制备方法与功率及射频器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114784090B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210389364.8，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权一种半导体外延结构及其制备方法与功率及射频器件是由游正璋;方照诒;黄博崇设计研发完成，并于2022-04-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体外延结构及其制备方法与功率及射频器件在说明书摘要公布了：本发明涉及一种半导体外延结构及其制备方法与功率及射频器件。所述半导体外延结构包括层叠设置的衬底、缓冲层、应力调节层和漂移层；所述应力调节层包括半导体材料和掺杂材料；所述半导体材料包括AlN、GaN、AlxGa1‑xN或InbAlaGa1‑a‑bN中的任意一种或至少两种的组合，其中0＜x＜1,0＜a＜1,0＜b＜1。本发明提供的应力调节层中含有半导体材料并添加掺杂材料，位于缓冲层和漂移层之间，利用应力调节层调节外延层调变应变张力效应，减缓了衬底与缓冲层间因差异晶格常数与热膨胀系数不同而产生的螺位错与刃位错，并使后续生长漂移层内的位错减少，进而提升了氮化镓基外延晶体品质。
本发明授权一种半导体外延结构及其制备方法与功率及射频器件在权利要求书中公布了：1.一种半导体外延结构，其特征在于，所述半导体外延结构包括层叠设置的衬底、缓冲层、应力调节层和漂移层； 所述应力调节层包括半导体材料和掺杂材料；所述应力调节层的厚度为5~50μm； 所述掺杂材料中的掺杂元素包括碳、铍、镁或铁中的任意一种或至少两种的组合；所述掺杂元素在应力调节层中的含量为5.0×E18~1.0×E19atomscm3； 所述衬底包括Al2O3、GaN、GaO、AlN、Si或SiC中的任意一种或至少两种的组合；所述衬底的厚度为350μm以上；所述缓冲层的材料包括AlInN；所述漂移层包括AlN、AlGaN或AlInGaN中的任意一种或至少两种的组合； 所述半导体材料包括InbAlaGa1-a-bN，其中0＜a＜1,0＜b＜1。
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