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龙图腾网获悉上海华力微电子有限公司申请的专利图像传感器及图像传感器像素结构的形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114975497B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210420940.0，技术领域涉及：H10F39/18；该发明授权图像传感器及图像传感器像素结构的形成方法是由王润泽;王明;梅翠玉设计研发完成，并于2022-04-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本图像传感器及图像传感器像素结构的形成方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种图像传感器及图像传感器像素结构的形成方法，应用于半导体技术领域。本发明提供了一种图像传感器像素结构的形成方法，即，在形成图像传感器像素结构的导电插塞之前，先在半导体衬底中用于形成导电插塞区域对应的位置进行第一导电类型离子进行表层注入，以通过该注入离子对金属离子的吸附作用，降低金属离子在像素结构中的扩散和污染，从而减少图像传感器像素结构的白像素。并且，本发明还提供了三种优化后的用于对所述图像传感器像素结构的特定区域进行所述第一导电类型离子注入的光罩，以在对所述半导体衬底进行第一导电类型离子注入时，使注入后的第一导电类型离子对扩散到图像传感器像素结构中的金属离子的吸附能力最大化。

本发明授权图像传感器及图像传感器像素结构的形成方法在权利要求书中公布了：1.一种图像传感器像素结构的形成方法，其特征在于，包括： 提供一半导体衬底，所述半导体衬底的表面上形成有图形化的栅极结构，以及在位于所述图形化的栅极结构两侧的半导体衬底内分别形成有光电二极管区和浮动扩散区； 利用预设的离子注入光罩，对所述光电二极管区和浮动扩散区的至少部分表层区域进行第一导电类型离子注入，其中，所述预设的离子注入光罩定义出所述光电二极管区和浮动扩散区所对应的半导体衬底进行第一导电类型离子注入的位置； 在注入了所述第一导电类型离子的光电二极管区和浮动扩散区的表面上沉积金属层，以在所述光电二极管区和浮动扩散区的表面上形成相应的导电插塞； 所述第一导电类型离子为P型离子； 所述第一导电类型离子包括碳离子； 利用预设的离子注入光罩，对所述光电二极管区和浮动扩散区的至少部分表层区域进行第一导电类型离子注入的步骤，包括： 形成第一光罩，所述第一光罩遮蔽所述图形化的栅极结构，并同时暴露出所述光电二极管区和所述浮动扩散区所对应的半导体衬底的整个表面； 以所述第一光罩为掩膜，对所述半导体衬底进行第一导电类型离子注入，以在所述光电二极管区和所述浮动扩散区所对应的半导体衬底的整个表层上形成第一注入层；或者 利用预设的离子注入光罩，对所述光电二极管区和浮动扩散区的至少部分表层区域进行第一导电类型离子注入的步骤，包括： 形成第二光罩，所述第二光罩遮蔽所述图形化的栅极结构以及所述电二极管区和所述浮动扩散区所对应的半导体衬底表面上用于形成所述导电插塞之外的所有区域，并同时暴露出所述光电二极管区和所述浮动扩散区所对应的半导体衬底表面上用于形成所述导电插塞的区域； 以所述第二光罩为掩膜，对暴露出的所述光电二极管区和所述浮动扩散区所对应的半导体衬底表面上用于形成所述导电插塞的区域进行第一导电类型离子注入，以在所述电二极管区和所述浮动扩散区所对应的半导体衬底表面上用于形成所述导电插塞的表层区域上形成第二注入层；或者 利用预设的离子注入光罩，对所述光电二极管区和浮动扩散区的至少部分表层区域进行第一导电类型离子注入的步骤，包括： 形成第三光罩，所述第三光罩遮蔽所述图形化的栅极结构以及所述电二极管区和所述浮动扩散区所对应的半导体衬底表面上用于形成所述导电插塞之外的部分区域，并同时暴露出所述光电二极管区和所述浮动扩散区所对应的半导体衬底表面上用于形成所述导电插塞的区域以及其旁边一侧区域； 以所述第三光罩为掩膜，对暴露出的所述光电二极管区和所述浮动扩散区所对应的半导体衬底表面上用于形成所述导电插塞的区域以及其旁边一侧区域进行第一导电类型离子注入，以在所述电二极管区和所述浮动扩散区所对应的半导体衬底表面上用于形成所述导电插塞以及其旁边一侧的表层区域上形成第三注入层。

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