国际商业机器公司沈添获国家专利权
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龙图腾网获悉国际商业机器公司申请的专利使用PCM材料的多个堆叠体的相变存储器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115004302B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180010901.7，技术领域涉及：H10B63/10；该发明授权使用PCM材料的多个堆叠体的相变存储器是由沈添;吴恒;K.布鲁;张婧芸设计研发完成，并于2021-01-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本使用PCM材料的多个堆叠体的相变存储器在说明书摘要公布了：提出了一种用于改进相变存储器PCM单元结构的线性度的方法。所述方法包含：在衬底10上方形成底部电极12；在所述底部电极12上方构造包含多个PCM层的PCM堆叠体20，所述PCM层中的每一者具有不同结晶温度；以及在所述PCM堆叠体20上方形成顶部电极32。结晶温度从底部电极12到顶部电极32以升序变化。
本发明授权使用PCM材料的多个堆叠体的相变存储器在权利要求书中公布了：1.一种用于改进相变存储器PCM单元结构的线性度的方法，所述方法包括： 在衬底上方形成底部电极； 在所述底部电极的上表面形成与所述底部电极的上表面接触的加热元件； 在所述加热元件的上表面形成具有平坦表面的电阻衬垫，所述电阻衬垫接触所述加热元件的仅上表面； 在所述电阻衬垫的平坦表面上方构造包括多个PCM层的PCM堆叠体，每个PCM层具有不同的结晶温度；以及 在所述PCM堆叠体上方形成顶部电极， 其中以下中的一项成立：所述结晶温度从所述底部电极到所述顶部电极以升序改变；以及所述PCM堆叠体的中心区域中的结晶温度处于低点，且所述PCM堆叠体的最顶部区域和最底部区域处的结晶温度处于高点。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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