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龙图腾网获悉富芯微电子有限公司申请的专利功率MOSFET器件栅氧化层的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115020487B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210725780.0，技术领域涉及：H10D64/68；该发明授权功率MOSFET器件栅氧化层的制备方法是由邹有彪;王全;倪侠;张荣;徐玉豹设计研发完成，并于2022-06-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本功率MOSFET器件栅氧化层的制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了功率MOSFET器件栅氧化层的制备方法，涉及半导体器材加工技术领域。包括制备步骤如下：步骤一、提供MOSFET器件：步骤二、对MOSFET器件的表面进行预处理，预处理时间为25min～35min；步骤三、将MOSFET器件放置到内部倒有酸性溶液的浸泡池内，浸泡15min～25min；步骤四、将MOSFET器件从浸泡池内捞出，然后将其安装到放置装置上固定。本发明通过在制备功率MOSFET器件时，对MOSFET器件表面进行预处理，并在预处理后用酸溶液进行清洗，最后再将其放置到加热炉内通过网加热炉内填充惰性气体，完成了对功率MOSFET器件表面的退火处理，在增强了MOSFET器件栅氧化层的整体强度时，还对MOSFET器件表面的附着杂质进行了全面的清理，提高了MOSFET器件栅氧化层的内部纯度。

本发明授权功率MOSFET器件栅氧化层的制备方法在权利要求书中公布了：1.功率MOSFET器件栅氧化层的制备方法，其特征在于：制备步骤如下： 步骤一、提供MOSFET器件： 步骤二、对MOSFET器件的表面进行预处理，预处理时间为25min～35min； 步骤三、将MOSFET器件放置到内部倒有酸性溶液的浸泡池内，浸泡15min～25min； 步骤四、将MOSFET器件从浸泡池内捞出，然后将其安装到放置装置上固定，最后连同放置装置一同放置到内部填充有惰性气体的加热炉内烘烤处理，其中加热炉的温度在260℃～330℃，烘烤时间为25min～30min，此外填充惰性气体的时间为10min～15min； 步骤五、将MOSFET器件从加热炉内取出，并放置到氮气柜内静置； 步骤六、静置到MOSFET器件外部的稳定到110～130°C时，将MOSFET器件外部从氮气柜内取出； 步骤二中的预处理包括抛光、打磨和喷砂步骤，其中抛光、打磨和喷砂所占总时间比为3:1:2； 步骤三中的酸性溶液为质量分数为18%的盐酸溶液或质量分数为16%的稀硝酸溶液中的一种； 步骤三和步骤四之间需要对MOSFET器件进行二次清洗，二次清洗需要用纯净水，清洗过后需要在通风环境下放置15min～30min； 步骤四中惰性气体为氩气、氦气或氖气中的一种，步骤四在填充过惰性气体后还会向加热炉内填充氢气。

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