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龙图腾网获悉西安电子科技大学广州研究院;西安电子科技大学申请的专利一种氮化镓基太赫兹探测器阵列单元、探测器及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115032169B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210426643.7，技术领域涉及：G01N21/3581；该发明授权一种氮化镓基太赫兹探测器阵列单元、探测器及制备方法是由李凯;刘志宏;宁静;冯时;徐美;周瑾;冯欣;游淑珍;张进成;郝跃设计研发完成，并于2022-04-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种氮化镓基太赫兹探测器阵列单元、探测器及制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种氮化镓基太赫兹探测器阵列单元、探测器及制备方法，阵列单元包括：太赫兹天线、检波单元和功率放大器。检波单元包括至少一个第一晶体管，功率放大器包括至少一个第二晶体管，至少一个第一晶体管和至少一个第二晶体管均采用氮化镓基高电子迁移率晶体管且集成在同一预制片上；太赫兹天线与至少一个所述第一晶体管中的检波单元输入端连接，至少一个所述第一晶体管中的检波单元输出端与至少一个所述第二晶体管中的功率放大器输入端连接。该阵列单元检波单元的晶体管与功率放大器的晶体管集成于同一衬底上，能够有效提高探测器像元一致性与集成度，减少封装和工艺加工成本，提高整个探测器阵列单元的高温工作能力。

本发明授权一种氮化镓基太赫兹探测器阵列单元、探测器及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种高集成度氮化镓基太赫兹探测器阵列单元，其特征在于，包括：太赫兹天线1、检波单元2和功率放大器3，其中， 所述检波单元2包括至少一个第一晶体管，所述功率放大器3包括至少一个第二晶体管，至少一个所述第一晶体管和至少一个所述第二晶体管均采用氮化镓基高电子迁移率晶体管且集成在同一预制片上； 所述太赫兹天线1与至少一个所述第一晶体管中的检波单元输入端连接，至少一个所述第一晶体管中的检波单元输出端与至少一个所述第二晶体管中的功率放大器输入端连接； 其中，所述预制片包括：衬底201、成核层202、过渡层203、缓冲层204、沟道层205和势垒层206，所述衬底201、所述成核层202、所述过渡层203、所述缓冲层204、所述沟道层205、所述势垒层206依次层叠； 所述预制片上设置有隔离槽207、第一源电极208、第一栅电极209、第一漏电极210、第二源电极211、第二栅电极212、第二漏电极213和引线214，其中， 所述隔离槽207贯穿所述势垒层206和所述沟道层205，且位于所述缓冲层204中； 所述第一源电极208、所述第一栅电极209、所述第一漏电极210位于所述势垒层206上且位于所述隔离槽207的一侧，所述第一栅电极209位于所述第一源电极208和所述第一漏电极210之间，所述第一源电极208和所述第一栅电极209形成所述检波单元输入端，并且，所述太赫兹天线1位于所述第一源电极208和所述第一栅电极209上，与所述检波单元2、所述功率放大器3集成一体，所述第一漏电极210形成所述检波单元输出端； 所述第二源电极211、所述第二栅电极212、所述第二漏电极213位于所述势垒层206上且位于所述隔离槽207的另一侧，所述第二栅电极212位于所述第二源电极211和所述第二漏电极213之间，所述第二栅电极212形成所述功率放大器输入端； 所述第一漏电极210通过所述引线214连接所述第二栅电极212； 其中，制备所述高集成度氮化镓基太赫兹探测器阵列单元的方法包括步骤： S1、在衬底201上依次外延生长成核层202、过渡层203、缓冲层204、沟道层205和势垒层206；所述势垒层206的材料为铟铝氮； S2、在所述势垒层206、所述沟道层205和所述缓冲层204中制备器件的电学隔离，形成贯穿所述势垒层206和所述沟道层205且位于所述缓冲层204中的至少一个隔离槽207； S3、在所述势垒层206上制备至少两组源电极和漏电极，使得每组所述源电极和漏电极位于所述至少一个隔离槽207之间的电学区域中； S4、在每组的所述源电极和所述漏电极之间制备栅电极，形成至少两组电极，所述至少两组电极中任一组电极的源电极和栅电极形成检波单元输入端，任一组电极的漏电极形成检波单元输出端，其余的任一组电极的栅电极形成功率放大器输入端； S5、在器件表面制备钝化层217，使得所述钝化层217覆盖器件表面； S6、制备引线214，使得所述引线214连接所述检波单元输出端和所述功率放大器输入端，并且在所述检波单元输入端上制备太赫兹天线1。

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