深圳市华星光电半导体显示技术有限公司郑帅获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳市华星光电半导体显示技术有限公司申请的专利阵列基板及其制备方法、显示面板获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115036332B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210718213.2，技术领域涉及：H10D86/60；该发明授权阵列基板及其制备方法、显示面板是由郑帅;宋志伟设计研发完成，并于2022-06-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本阵列基板及其制备方法、显示面板在说明书摘要公布了：本申请提供一种阵列基板及其制备方法、显示面板，该阵列基板包括衬底、第一保护层、有源层、栅极绝缘层以及栅极，第一保护层设置在衬底上，有源层设置在第一保护层远离衬底的一侧，栅极设置在栅极绝缘层远离衬底的一侧，第二保护层设置在栅极远离衬底的一侧，第一保护层与第二保护层接触，使得第一保护层以及第二保护层共同包裹有源层、栅极绝缘层以及栅极，以阻挡氢元素进入有源层、栅极绝缘层或者栅极。该阵列基板的第一保护层以及第二保护层能够阻止氢元素向有源层等结构注入，使得应用该阵列基板的显示面板能够稳定运作。
本发明授权阵列基板及其制备方法、显示面板在权利要求书中公布了：1.一种阵列基板，其特征在于，包括： 衬底； 第一保护层，所述第一保护层设置在所述衬底上，所述第一保护层的材料包括三氧化二铝； 有源层，所述有源层设置在所述第一保护层远离所述衬底的一侧，所述有源层的材料包括铟镓锌氧化物； 栅极绝缘层，所述栅极绝缘层设置在所述有源层远离所述衬底的一侧； 栅极，所述栅极设置在所述栅极绝缘层远离所述衬底的一侧； 第二保护层，所述第二保护层设置在所述栅极远离所述衬底的一侧，所述第二保护层延伸至所述第一保护层，使得所述第一保护层以及所述第二保护层共同包裹所述有源层、所述栅极绝缘层以及所述栅极，以阻挡氢元素进入所述有源层、所述栅极绝缘层或者所述栅极； 其中，所述有源层在所述衬底上的正投影位于所述第一保护层在所述衬底上的正投影内； 其中，所述第一保护层、所述有源层、所述栅极绝缘层以及所述栅极在所述衬底上的正投影的面积逐渐减小，所述第二保护层依次与所述栅极、所述栅极绝缘层、所述有源层以及所述第一保护层贴合设置。
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