广州华星光电半导体显示技术有限公司龙威获国家专利权
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龙图腾网获悉广州华星光电半导体显示技术有限公司申请的专利阵列基板和显示面板获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115050758B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210682054.5，技术领域涉及：H10D86/40；该发明授权阵列基板和显示面板是由龙威设计研发完成，并于2022-06-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本阵列基板和显示面板在说明书摘要公布了：本申请公开了一种阵列基板和显示面板，阵列基板包括衬底、金属氧化物有源部、栅极、绝缘部、源漏极和导电部，金属氧化物有源部设置于衬底上，金属氧化物有源部包括连接且同层设置的半导体部和设置于半导体部两侧的导通部，栅极设置于金属氧化物有源部的一侧，且与半导体部对应设置，绝缘部设置于金属氧化物有源部与栅极之间，源漏极设置于金属氧化物有源部上，并与金属氧化物有源部连接，导电部设置于金属氧化物有源部远离源漏极的一侧，且与金属氧化物有源部接触，导电部与导通部对应设置。导电部中具有电子，因而在金属氧化物有源部下方设置与其接触的导电部，可以提高金属氧化物有源部的载流子浓度，从而提高器件的开态电流。
本发明授权阵列基板和显示面板在权利要求书中公布了：1.一种阵列基板，其特征在于，包括： 衬底； 金属氧化物有源部，所述金属氧化物有源部设置于所述衬底上，所述金属氧化物有源部包括连接且同层设置的半导体部和设置于所述半导体部两侧的导通部； 栅极，所述栅极设置于所述金属氧化物有源部的一侧，且与所述半导体部对应设置； 绝缘部，所述绝缘部设置于所述金属氧化物有源部与所述栅极之间； 源漏极，所述源漏极设置于所述金属氧化物有源部上，并与所述金属氧化物有源部连接；以及 导电部，所述导电部设置于所述金属氧化物有源部远离所述源漏极的一侧，且与所述金属氧化物有源部接触，所述导电部与所述导通部对应设置； 其中，所述导电部包括同层且连接的第一分部和第二分部，所述第一分部位于绝缘部远离所述半导体部的一侧，所述第一分部位于所述绝缘部靠近所述半导体部的一侧，所述第二分部覆盖所述第一分部，所述第一分部与所述导通部对应设置，所述第二分部与部分所述半导体部对应设置。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人广州华星光电半导体显示技术有限公司，其通讯地址为：510700 广东省广州市黄埔区(中新广州知识城)亿创街1号406房之417；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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