长江存储科技有限责任公司赵志远获国家专利权
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龙图腾网获悉长江存储科技有限责任公司申请的专利晶圆键合方法、计算机程序及其存储介质获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN115116859B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-13发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202210684662.X,技术领域涉及:H10W95/00;该发明授权晶圆键合方法、计算机程序及其存储介质是由赵志远;冯皓;刘武设计研发完成,并于2022-06-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本晶圆键合方法、计算机程序及其存储介质在说明书摘要公布了:本申请提供了一种晶圆键合方法、计算机程序及其存储介质。其中,晶圆键合方法包括:提供第一待键合晶圆对;所述第一待键合晶圆对中每个晶圆分别吸附在第一卡盘和第二卡盘上;所述第一待键合晶圆对中每个晶圆均具有对应的多个键合对准标记;所述第一卡盘和或所述第二卡盘表面具有沿卡盘表面所在圆的周向分布的多个吸附区域;根据所述第一待键合晶圆对中每个晶圆的多个键合对准标记之间的位置关系,从所述多个吸附区域分别控制所述第一卡盘和或所述第二卡盘对所述第一待键合晶圆对中对应晶圆的吸附时长和或吸附力大小,以对所述第一待键合晶圆对执行沿多个不同方向的缩放补偿;将执行缩放补偿后的所述第一待键合晶圆对进行键合。
本发明授权晶圆键合方法、计算机程序及其存储介质在权利要求书中公布了:1.一种晶圆键合方法,其特征在于,包括: 提供第一待键合晶圆对;所述第一待键合晶圆对中每个晶圆分别吸附在第一卡盘和第二卡盘上;所述第一待键合晶圆对中每个晶圆均具有对应的多个键合对准标记;所述第一卡盘和或所述第二卡盘表面具有沿卡盘表面所在圆的周向分布的多个吸附区域;所述多个吸附区域的数量为偶数,所述多个吸附区域中在所述卡盘表面所在圆的径向上相对的两个吸附区域被共同控制,且所述多个吸附区域中经过所述卡盘表面所在圆的同一直径的两个区域对应一个方向,多个方向上的所述吸附区域分别独立控制; 根据所述第一待键合晶圆对中每个晶圆的多个键合对准标记之间的位置关系,确定沿多个不同方向的补偿系数;所述方向经过所述卡盘表面所在圆的径向上相对的两个吸附区域; 根据沿所述多个不同方向的补偿系数,从所述多个吸附区域分别控制所述第一卡盘和或所述第二卡盘对所述第一待键合晶圆对中对应晶圆的吸附时长,以对所述第一待键合晶圆对执行沿所述多个不同方向分别进行的缩放补偿; 将执行所述缩放补偿后的所述第一待键合晶圆对进行键合; 在从所述多个吸附区域分别控制所述第一卡盘和或所述第二卡盘对所述第一待键合晶圆对中对应晶圆的吸附时长之前,向所述第一待键合晶圆对的第一晶圆施加向下的作用力。
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