福建省晋华集成电路有限公司童宇诚获国家专利权
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龙图腾网获悉福建省晋华集成电路有限公司申请的专利半导体装置及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115148736B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210657973.7，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体装置及其制作方法是由童宇诚;张钦福设计研发完成，并于2022-06-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明公开了半导体装置及其制作方法，包括衬底、存储节点焊盘、支撑结构以及电容结构。存储节点焊盘、支撑结构设置在衬底上，支撑结构包括第一支撑层以及第二支撑层。电容结构设置在衬底上，并包括多个电容。各电容依序包括底电极层、电容介电层、以及顶电极层，其中，各底电极层具有向上延伸的两部分，两部分之一分别包括延伸于各存储节点焊盘与第一支撑层之间的第一厚度、以及延伸于第一支撑层与第二支撑层之间的第二厚度，第一厚度大于第二厚度。由此，可改善存储节点的结构可靠性，进而优化半导体装置的功能与效能。
本发明授权半导体装置及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体存储装置，其特征在于包括： 衬底； 多个存储节点焊盘，设置在所述衬底上； 支撑结构，设置在所述衬底上，所述支撑结构包括由下而上依序设置的第一支撑层以及第二支撑层；以及 电容结构，设置在所述衬底上，所述电容结构包括多个电容分别接触各所述存储节点焊盘，各所述电容包括由下而上依序堆叠的底电极层、电容介电层、以及顶电极层，其中，各所述底电极层具有向上延伸的两部分，所述两部分包括第一部分和第二部分，所述第一部分包括延伸于各所述存储节点焊盘与所述第一支撑层之间的第一厚度、以及延伸于所述第一支撑层与所述第二支撑层之间的第二厚度，所述第一厚度大于所述第二厚度； 其中，所述第一部分与所述第二支撑层直接接触的片段具有第三厚度，所述第二部分远离所述第二支撑层设置，所述第二部分的顶面具有第二厚度，所述第三厚度大于所述第二厚度。
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