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龙图腾网获悉哈尔滨工业大学申请的专利基于流动气体法模拟单晶碳化硅干氧热氧化工艺的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115206462B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210759784.0，技术领域涉及：G16C60/00；该发明授权基于流动气体法模拟单晶碳化硅干氧热氧化工艺的方法是由李兴冀;杨剑群;刘中利;李伟奇;吕钢设计研发完成，并于2022-06-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于流动气体法模拟单晶碳化硅干氧热氧化工艺的方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种基于流动气体法模拟单晶碳化硅干氧热氧化工艺的方法，涉及微电子和器件工艺模拟技术领域。包括如下步骤：构建碳化硅晶体的模型，在模型中的碳化硅晶体表面设置真空层，采用反应力场分子动力学方法使碳化硅晶体处于初始状态；加热碳化硅晶体至反应温度，在恒温状态下，间隔第一预设时间，重复在随机位置将一组O2分子以反应温度下所对应的气体速率向碳化硅晶体表面发射，至碳化硅晶体表面发生氧化反应；待氧化反应结束并达到平衡状态后，对模型退火，优化后得到氧化样品；获取氧化样品的结构特征参数。本发明能够模拟干氧热氧化工艺方法形成的氧化样品中的界面缺陷的产生过程，有利于获得界面缺陷产生及消减的控制方法。

本发明授权基于流动气体法模拟单晶碳化硅干氧热氧化工艺的方法在权利要求书中公布了：1.一种基于流动气体法模拟单晶碳化硅干氧热氧化工艺的方法，其特征在于，包括如下步骤： 步骤S1：运用分子动力学模拟软件LAMMPS构建碳化硅晶体的模型，在所述模型中的所述碳化硅晶体表面设置真空层，采用反应力场分子动力学方法使所述碳化硅晶体处于初始状态； 步骤S2：加热所述碳化硅晶体至反应温度，在恒温状态下，间隔第一预设时间，重复在随机位置将一组O2分子以所述反应温度下所对应的气体速率向所述碳化硅晶体表面发射，至所述碳化硅晶体表面发生氧化反应；待所述氧化反应结束并达到平衡状态后，对所述模型退火，优化后得到氧化样品； 步骤S3：获取所述氧化样品的结构特征参数；所述氧化样品的结构特征参数至少包括所述氧化层的密度、硅氧比、缺陷类型和缺陷浓度；所述氧化样品的结构特征参数用于掌握热氧化法形成的界面缺陷的起因以及总结如何消减缺陷的方法； 其中，步骤S2中，所述在随机位置将一组O2分子以所述反应温度下所对应的气体速率向所述碳化硅晶体表面发射，至所述碳化硅晶体表面发生氧化反应，包括如下步骤： 所述在随机位置将一组O2分子以所述反应温度下所对应的气体速率向所述碳化硅晶体表面发射，使所述O2分子与所述碳化硅晶体表面的原子发生碰撞并等待第二预设时间，若所述O2分子与所述碳化硅晶体表面的原子发生反应，则保留所述若所述O2分子，若所述O2分子与所述碳化硅晶体表面的原子未发生反应，则移除未反应的所述O2分子；再重复上述步骤至所述碳化硅晶体表面发生氧化反应； 所述平衡状态包括所述模型的氧化反应结束后，保持所述反应温度300-600ps，并弛豫后的状态；所述氧化样品包括未被氧化的碳化硅晶体、过渡层和氧化层。

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