辉达公司郭景获国家专利权
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龙图腾网获悉辉达公司申请的专利具有去耦电容器的集成电路封装获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115223958B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110413801.0，技术领域涉及：H10W70/65；该发明授权具有去耦电容器的集成电路封装是由郭景;贾震;杨秀庄;崔瑀琦设计研发完成，并于2021-04-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本具有去耦电容器的集成电路封装在说明书摘要公布了：IC封装包括具有第一表面的衬底，电路管芯耦合至所述衬底的所述第一表面，去耦电容器耦合至所述衬底的所述第一表面以及功率迹线耦合至所述衬底的所述第一表面，并连接至所述电路管芯和连接至所述去耦电容器。一种制造IC封装的方法包括：提供衬底提供具有第一表面的衬底，在所述衬底的第一表面上形成功率迹线，其中所述功率迹线是导电功率通路的部分，在所述第一表面上安装电路管芯，所述电路管芯电连接至所述功率迹线并且将去耦电容器安装在所述衬底的所述第一表面上，其中所述去耦电容器电连接至所述功率迹线和所述电路管芯。
本发明授权具有去耦电容器的集成电路封装在权利要求书中公布了：1.一种集成电路封装，包括： 衬底，所述衬底具有第一表面； 电路管芯，所述电路管芯耦合至所述衬底的所述第一表面； 去耦电容器，所述去耦电容器耦合至所述衬底的所述第一表面； 功率迹线，所述功率迹线耦合至所述衬底的所述第一表面，并连接至所述电路管芯和连接至所述去耦电容器； 第二类型的去耦电容器，所述第二类型的去耦电容器安装到在所述衬底的第二表面中的开口中的所述衬底的所述第二表面；以及 第一组所述去耦电容器，其中，所述功率迹线电连接至所述第一组中的每个所述去耦电容器以形成第一功率岛。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人辉达公司，其通讯地址为：美国加利福尼亚州；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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