深圳市华星光电半导体显示技术有限公司刘方梅获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳市华星光电半导体显示技术有限公司申请的专利显示面板及其制作方法、显示装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115224053B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210922518.5，技术领域涉及：H10D86/60；该发明授权显示面板及其制作方法、显示装置是由刘方梅;请求不公布姓名设计研发完成，并于2022-08-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本显示面板及其制作方法、显示装置在说明书摘要公布了：本申请提供一种显示面板及其制作方法、显示装置，该显示面板包括设置于基底上的薄膜晶体管层，薄膜晶体管层包括设置于基底上方的有源层、栅极绝缘层以及栅极，有源层的材料为金属氧化物，有源层包括沟道区和与沟道区连接的掺杂区，栅极在基底上的正投影覆盖沟道区在基底上的正投影；其中，掺杂区包括多个氧空位、及至少填充部分氧空位的氮离子，本申请通过设置沟道区包括至少填充部分氧空位的氮离子，从而减少有源层中的氧空位，提高了载流子的传输速率。
本发明授权显示面板及其制作方法、显示装置在权利要求书中公布了：1.一种显示面板，其特征在于，包括： 基底； 薄膜晶体管层，设置于所述基底上，所述薄膜晶体管层包括设置于所述基底上方的有源层、栅极绝缘层以及第二金属层，所述第二金属层包括栅极，所述有源层的材料为金属氧化物，所述有源层包括沟道区和与所述沟道区连接的掺杂区，所述栅极在所述基底上的正投影覆盖所述沟道区在所述基底上的正投影； 其中，所述掺杂区包括多个氧空位及至少填充部分所述氧空位的氮离子；所述第二金属层包括层叠设置于所述基底上的第一子金属层和第二子金属层，所述第二子金属层的抗氧化性大于所述第一子金属层的抗氧化性，所述第一子金属层的导电率大于所述第二子金属层的导电率。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人深圳市华星光电半导体显示技术有限公司，其通讯地址为：518132 广东省深圳市光明新区公明街道塘明大道9-2号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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