锐芯微电子股份有限公司王超获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉锐芯微电子股份有限公司申请的专利图像传感器及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115274727B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211035402.6，技术领域涉及：H10F39/00；该发明授权图像传感器及其形成方法是由王超;王林;黄金德;胡万景;豆正辉;黄楚林;张明涛设计研发完成，并于2022-08-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本图像传感器及其形成方法在说明书摘要公布了：一种图像传感器及其形成方法，其中图像传感器包括：衬底，衬底包括像素区和逻辑区；位于像素区内的第一光电掺杂区，衬底表面暴露出第一光电掺杂区表面；位于像素区上的屏蔽栅极结构，屏蔽栅极结构包括介质层和屏蔽栅极层，不同色彩种类的彩色像素单元中的屏蔽栅极层的厚度不同。像素区上具有屏蔽栅极结构，从而能够通过对屏蔽栅极结构加载工作电压减少暗电流的产生，以提升图像传感器的成像质量。通过将不同色彩种类的彩色像素单元中的屏蔽栅极层的厚度设置不同，使得通过不同色彩种类的彩色像素单元的屏蔽栅极层后的光强，与和通过不同色彩种类的滤光结构前的光强比例接近，能够更好的还原真实色彩，以提升图像传感器的成像质量。
本发明授权图像传感器及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种图像传感器，其特征在于，包括： 若干色彩种类的彩色像素单元，其中每个所述彩色像素单元包括： 衬底，所述衬底包括像素区和逻辑区，所述像素区和所述逻辑区相邻； 位于所述像素区内的第一光电掺杂区，所述衬底表面暴露出所述第一光电掺杂区表面，所述第一光电掺杂区内具有第一离子； 位于所述像素区上的屏蔽栅极结构，所述屏蔽栅极结构包括介质层和位于介质层上的屏蔽栅极层，不同色彩种类的所述彩色像素单元中的所述屏蔽栅极层的厚度不同；其中， 所述屏蔽栅极结构位于所述第一光电掺杂区表面，对所述屏蔽栅极结构加载负电压，诱导所述屏蔽栅极结构和所述衬底的界面处聚集正电荷形成空穴，空穴俘获电子以防止电子进入所述像素区引发暗电流。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人锐芯微电子股份有限公司，其通讯地址为：215301 江苏省苏州市昆山市开发区创业路1588号象屿两岸贸易中心7号楼1810室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励