华虹半导体(无锡)有限公司;上海华虹宏力半导体制造有限公司邓婉君获国家专利权
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龙图腾网获悉华虹半导体(无锡)有限公司;上海华虹宏力半导体制造有限公司申请的专利特殊单元总数据库及其建立方法、图形修正方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115293094B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210961900.7，技术领域涉及：G06F30/392；该发明授权特殊单元总数据库及其建立方法、图形修正方法是由邓婉君;金晓亮;冯佳计设计研发完成，并于2022-08-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本特殊单元总数据库及其建立方法、图形修正方法在说明书摘要公布了：一种特殊单元总数据库及其建立方法、图形修正方法，其中图形修正方法包括：提供待修正版图，所述待修正版图包括待修正区域和待修正特殊单元结构区域；获取待修正特殊单元结构区域中的待修正最小重复单元图形；提供特殊单元总数据库；在所述特殊单元总数据库中获取与所述待修正最小重复单元图形对应的单元修正图形的信息；对所述待修正区域进行光学临近修正，获取第二修正图形的信息；根据所述第二修正图形的信息和单元修正图形的信息获取修正版图。所述图形修正方法的修正效率得到提升。
本发明授权特殊单元总数据库及其建立方法、图形修正方法在权利要求书中公布了：1.一种图形修正的特殊单元总数据库的建立方法，其特征在于，包括： 提供设计版图，所述设计版图包括若干特殊单元结构区域，所述特殊单元结构区域包括若干图形； 获取特殊单元结构区域中的最小重复单元图形，包括：根据预设条件选取特征图形；根据所述特征图形获取所述特征图形的特征向量；根据所述特征向量在设计版图中获取符合所述特征向量的图形；以所述特征图形边长中的任一端点为第一顶点，沿相互垂直的第一方向和第二方向扩展预设的长度，获取最小重复单元区域，所述最小重复单元区域的形状为矩形，所述最小重复单元区域内的图形为所述最小重复单元图形； 根据所述最小重复单元图形的信息建立特殊单元结构数据库； 获取设计版图修正后的第一修正版图，所述第一修正版图中具有与最小重复单元图形对应的单元修正图形； 根据若干单元修正图形的信息建立特殊单元修正结果数据库； 根据所述特殊单元结构数据库和特殊单元修正结果数据库建立特殊单元总数据库，且在所述特殊单元总数据库中，各最小重复单元图形的信息和各单元修正图形的信息一一对应。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人华虹半导体(无锡)有限公司;上海华虹宏力半导体制造有限公司，其通讯地址为：214028 江苏省无锡市新吴区新洲路30号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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