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龙图腾网获悉温州大学申请的专利碳化硅异构结常闭型高电子迁移率晶体管及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115346873B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211080038.5，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权碳化硅异构结常闭型高电子迁移率晶体管及其制备方法是由韦文生;戴森荣;丁靖扬;汪子盛;杨晨飞设计研发完成，并于2022-09-05向国家知识产权局提交的专利申请。

本碳化硅异构结常闭型高电子迁移率晶体管及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种碳化硅SiC异构结常闭型高电子迁移率晶体管的制备方法，包括选择一非故意掺杂n型4H‑SiC晶片为衬底；在衬底的表面同构外延生长4H‑SiC过渡层，并在4H‑SiC过渡层的上表面外延生长出C面；在4H‑SiC过渡层的C面生长非故意掺杂的3C‑SiC势阱层；在3C‑SiC势阱层上表面生长n型掺杂的4H‑SiC势垒层，并在4H‑SiC势垒层的上表面外延生长出Si面；在4H‑SiC势垒层的Si面生长非故意掺杂的3C‑SiC帽层；制作电极和保护膜，得到3C‑SiC4H‑SiC异构结常闭型单沟道高电子迁移率晶体管。实施本发明，因制备过程中SiC异构结界面两侧的元素相同，无扩散污染，降低了工艺复杂性；所得SiC异构结常闭型高电子迁移率晶体管的阈值电压低，比导通电阻很小，击穿电压高，功率品质因数大，使用可靠性高。

本发明授权碳化硅异构结常闭型高电子迁移率晶体管及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种碳化硅SiC异构结常闭型高电子迁移率晶体管HEMT的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： S11、选择一非故意掺杂n型4H-SiC晶片为衬底； S12、在所述衬底的上表面同构外延生长4H-SiC过渡层，并在所述4H-SiC过渡层的上表面外延生长出C面； S13、在所述4H-SiC过渡层的C面生长非故意掺杂的3C-SiC势阱层； S14、在所述3C-SiC势阱层的上表面生长n型掺杂的4H-SiC势垒层，并在所述4H-SiC势垒层的上表面外延生长出Si面； S15、在所述4H-SiC势垒层的Si面生长非故意掺杂的3C-SiC帽层； S16、制作电极和保护膜，得到3C-SiC4H-SiC异构结常闭型单沟道高电子迁移率晶体管。

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