台湾积体电路制造股份有限公司陈春宇获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115394722B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210842272.0，技术领域涉及：H10D84/01；该发明授权半导体结构及其形成方法是由陈春宇;赖彦良设计研发完成，并于2022-07-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：根据本公开实施例的一半导体结构包括设置在一基板上方的一电路区域以及设置在基板上方且完全地环绕电路区域的一密封环区域。电路区域包括多个第一鳍片、多个第二鳍片、在第一鳍片上方的多个n型外延结构、以及在第二鳍片上方的多个p型外延结构。密封环区域包括完全地绕着电路区域延伸的多个鳍片环、设置在鳍片环上方且平行于鳍片环延伸的多个外延环。在密封环区域中所有鳍片环上方的所有外延环为p型外延环。
本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，包括： 一电路区域，设置在一基板上方，其中该电路区域包括多个第一鳍片、多个第二鳍片、在该些第一鳍片上方的多个n型外延结构、以及在该些第二鳍片上方的多个p型外延结构；以及 一密封环区域，设置在该基板上方，且完全地环绕该电路区域，其中该密封环区域包括完全绕着该电路区域延伸的多个鳍片环、设置在该些鳍片环上方且平行于该些鳍片环延伸的多个外延环，其中在该密封环区域中的所有该些鳍片环上方的所有该些外延环都为p型外延环。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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