中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司金吉松获国家专利权
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龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115411014B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110574709.2，技术领域涉及：H10W20/43；该发明授权半导体结构及其形成方法是由金吉松设计研发完成，并于2021-05-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构及其形成方法，半导体结构包括：基底；介电层，位于基底上；多根金属互连线，位于介电层中，包括下层子互连线和上层子互连线，下层子互连线位于部分厚度的介电层中，上层子互连线位于下层子互连线顶部的剩余厚度的介电层中，下层子互连线和上层子互连线均沿第一方向延伸且沿第二方向平行排布，沿第一方向，在相邻金属互连线的断开位置处，下层子互连线和上层子互连线相邻设置。本发明下层子互连线与上层子互连线在基底表面的法线方向上位于不同高度位置处，因此，有利于减小工艺对金属互连线的头对头间距的限制，从而在确保工艺可靠性的同时，缩小金属互连线头对头的间距。
本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 基底； 介电层，位于所述基底上； 多根后段的金属互连线，位于所述介电层中，所述金属互连线包括下层子互连线和上层子互连线，所述下层子互连线位于部分厚度的所述介电层中，所述上层子互连线位于所述下层子互连线上方的剩余厚度的所述介电层中，所述下层子互连线和上层子互连线均沿第一方向延伸且沿第二方向平行排布，所述第一方向与所述第二方向相垂直，其中，沿所述第一方向，在相邻所述金属互连线的断开位置处，所述下层子互连线和所述上层子互连线相邻设置，且堆叠的所述上层子互连线和下层子互连线共同构成同层的所述金属互连线。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司，其通讯地址为：201203 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区张江路18号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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