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龙图腾网获悉山东华光光电子股份有限公司申请的专利一种具有耦合波导结构的GaAs基大功率激光器外延片及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115411618B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110588080.7，技术领域涉及：H01S5/20；该发明授权一种具有耦合波导结构的GaAs基大功率激光器外延片及其制备方法是由赵凯迪;朱振;张东东设计研发完成，并于2021-05-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种具有耦合波导结构的GaAs基大功率激光器外延片及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种具有耦合波导结构的GaAs基大功率激光器外延片及其制备方法。本发明外延片由下至上依次包括：衬底、缓冲层、N限制层、Alx2Ga1‑x2As低Al内置波导层、Alx3Ga1‑x3As高Al内置波导层、Alx4Ga1‑x4As第一Al组分渐变波导层、Iny1Ga1‑y1As量子阱层、Aly2Ga1‑y2As第二Al组分渐变波导层、P限制层和欧姆接触层。本发明激光器外延片结构以及生长方法有效地降低了界面上的电压，避免了突变波导中的突变界面所带来的电压损耗，并且将光场进一步向N侧偏移，即降低了光限制因子和光吸收，又提升了输出功率，减小了远场发散角，既提升了光束质量，避免了高阶膜的激射，又延长了激光器的使用寿命。

本发明授权一种具有耦合波导结构的GaAs基大功率激光器外延片及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种具有耦合波导结构的GaAs基大功率激光器外延片，由下至上依次包括：衬底、缓冲层、N限制层、Alx2Ga1-x2As低Al内置波导层、Alx3Ga1-x3As高Al内置波导层、Alx4Ga1-x4As第一Al组分渐变波导层、Iny1Ga1-y1As量子阱层、Aly2Ga1-y2As第二Al组分渐变波导层、P限制层和欧姆接触层； 其中，所述Alx2Ga1-x2As低Al内置波导层的厚度为0.1-0.2μm，0.1≤x2≤0.3，硅原子的掺杂浓度为5×1017-2×1018个原子cm3； 所述Alx3Ga1-x3As高Al内置波导层的厚度为0.05-0.07μm，0.7≤x3≤0.9； 所述Alx4Ga1-x4As第一Al组分渐变波导层的厚度为0.1-0.2μm，x4由0.7渐变至0.1； 所述Aly2Ga1-y2As第二Al组分渐变波导层的厚度为0.1-0.2μm，y2由0.1渐变至0.8。

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