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龙图腾网获悉中锗科技有限公司申请的专利一种磷化铟缺陷晶棒分割制备单晶衬底片的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115440574B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211029141.7，技术领域涉及：H10P90/00；该发明授权一种磷化铟缺陷晶棒分割制备单晶衬底片的方法是由周锐;刘桂勇;刘兴达设计研发完成，并于2022-08-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种磷化铟缺陷晶棒分割制备单晶衬底片的方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种磷化铟缺陷晶棒分割制备单晶衬底片的方法，包括如下步骤：切头尾做角度、做定位边标记、切片、避缺陷、划片和磨边。本发明通过切割后的晶片分选可以合理的利用每一个片的有效区域，提升了单晶的利用率，避免了掏棒、定性后，切片的缺陷无法避开的问题，降低了不可控因素的风险；该方法比较灵活，可以依据不同的有效区域分别筛选划片，减少了晶片报废的现象，提升了单片价值；并采用了激光切割，相比掏棒的1.5mm的损耗要节省约94％的材料损耗，比较省时省料；显著提高了晶向角度质量。

本发明授权一种磷化铟缺陷晶棒分割制备单晶衬底片的方法在权利要求书中公布了：1.一种磷化铟缺陷晶棒分割制备单晶衬底片的方法，其特征在于：包括如下步骤： 1将晶棒头尾切除，将晶棒头部[100]端面按要求做好角度； 2从晶棒头部锯出厚度为0.5～1.5mm样片，用盐酸腐蚀2～5min，水冲、烘干，用显微镜在10X物镜下观察晶胞方向，确定晶胞的[0-1-1]晶向，用平面磨床在晶棒的[0-1-1]晶向边缘位置磨出5～10mm宽度的OF定位平边作为标记； 3将加工好的晶棒在多线切割机上定位切片，切成厚薄均匀的晶片； 4将所有的晶片进行检查，避开缺陷，标出无缺陷合格片的外形，对照步骤2中的标记，做好解理，得到解理平边； 5将解理平边作为定位边，用激光划片机沿标出无缺陷合格片的外形进行划片裁切，切成2寸、3寸或4寸毛坯晶片； 6将磷化铟毛坯晶片进行磨边后，得到合格的2寸、3寸或4寸晶片； 步骤3中，切片时，环境温度为20～26℃，1500目碳化硅粉及切割液的质量比为1.1～2：1，刀片转速为400～1000rmin，切割速度5～10mmmin，切割深度为50～120mm，切割精度为0.01～0.5°，切割液的流量为300～3000mlmin； 步骤4中，解理时，环境温度为15～28℃，刀片转速为1～5rmin，切割速度1～50次min，切割深度为0.1～1mm； 步骤5中，激光划片时，环境温度为20～26℃。

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