北京华碳元芯电子科技有限责任公司;北京大学;北京元芯碳基集成电路研究院蔡翔获国家专利权
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龙图腾网获悉北京华碳元芯电子科技有限责任公司;北京大学;北京元芯碳基集成电路研究院申请的专利一种光电探测器及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115440831B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110617774.9，技术领域涉及：H10F77/20；该发明授权一种光电探测器及其制作方法是由蔡翔;洪德麟;王胜设计研发完成，并于2021-06-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种光电探测器及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种光电探测器，包括一衬底、位于衬底上的低维半导体层、第一电极、第二电极和局域栅极，其中第一电极和第二电极分别位于低维半导体层两端，在第一电极与第二电极之间形成一沟道区，局域栅极位于沟道区中，并与所述第一电极和所述第二电极具有一间距，在局域栅极与低维半导体层之间具有局域栅介质，局域栅介质的宽度大于或等于局域栅极的宽度。本发明通过局域栅极的静电掺杂作用在沟道中引入局域的能带弯曲，形成局域势垒，抑制载流子的隧穿，减小暗电流，从而提高了光电探测性能。
本发明授权一种光电探测器及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种光电探测器，其特征在于，包括： 衬底和所述衬底上的低维半导体层，所述低维半导体层包括碳纳米管； 第一电极和第二电极，分别位于所述低维半导体层两端，在所述第一电极和所述第二电极之间形成一沟道区，且所述第一电极与所述第二电极具有不同材质，所述第一电极为高功函数金属，包括钯Pd、钼Mo、镍Ni或钴Co中其中之一或由上述金属组成的合金或叠层；第二电极为低功函数金属，包括钪Sc、铪Hf、钇Y或铒Er其中之一或由上述金属组成的合金或叠层； 局域栅结构，所述局域栅结构位于所述沟道区上与所述第一电极和所述第二电极具有一间距的中央位置，所述局域栅结构包括局域栅极和局域栅介质，所述局域栅介质位于所述局域栅极与所述低维半导体层之间； 所述局域栅极与所述第一电极和所述第二电极的所述间距大于或等于20nm，所述局域栅极的宽度为所述沟道区宽度的10%-90%。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人北京华碳元芯电子科技有限责任公司;北京大学;北京元芯碳基集成电路研究院，其通讯地址为：北京市顺义区顺强路1号2幢二层西侧2071；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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