意法半导体(克洛尔2)公司M·杜瓦获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉意法半导体(克洛尔2)公司申请的专利背面照射图像传感器和制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115497969B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210691110.1，技术领域涉及：H10F39/12；该发明授权背面照射图像传感器和制造方法是由M·杜瓦设计研发完成，并于2022-06-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本背面照射图像传感器和制造方法在说明书摘要公布了：本公开的各实施例涉及背面照射图像传感器和制造方法。集成传感器包括由具有第一光学折射率的第一半导体材料制成的衬底。该衬底包括像素阵列，其中每个像素具有由折射对比区形成的光敏有源区，该折射对比区包括第一半导体材料的基质和嵌入该基质中的周期性结构。周期性结构从衬底的背面延伸并且在与背面平行的平面中具有二维周期性。周期性的值与光信号的波长和第一折射率相关联。周期性结构的元件由具有小于第一折射率的第二折射率的第二光学透明材料形成。这些元件位于由周期性限定的位置处，除了在限定区域的一个位置处，优选地在中心，该区域没有元件中的对应的元件。
本发明授权背面照射图像传感器和制造方法在权利要求书中公布了：1.一种背面照射型集成图像传感器，包括： 衬底，具有背面并且包含第一半导体材料，所述背面被配置为被光信号照射，所述第一半导体材料具有第一光学折射率；以及 在所述衬底中的像素阵列； 其中每个像素具有光敏有源区； 其中每个光敏有源区是折射对比区，所述折射对比区包括由所述第一半导体材料形成的基质、以及嵌入在所述基质中的周期性结构，所述周期性结构在所述基质中从所述背面延伸； 其中所述周期性结构在与所述背面平行的平面中具有二维周期性； 其中所述二维周期性的值与所述光信号的波长相关联，并且与所述第一光学折射率相关联；以及 所述周期性结构由多个元件形成，所述多个元件由第二光学透明材料制成，所述第二光学透明材料具有小于所述第一光学折射率的第二折射率，所述多个元件位于由所述二维周期性限定的位置处；以及 其中所述光敏有源区包括在由所述二维周期性限定的所述位置中的一个位置处的区域，所述区域没有所述元件中的对应的元件。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人意法半导体(克洛尔2)公司，其通讯地址为：法国克洛尔；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励