长鑫存储技术有限公司夏饮虹获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利半导体器件内电源干扰的测试系统及测试方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115512756B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211268850.0，技术领域涉及：G11C29/12；该发明授权半导体器件内电源干扰的测试系统及测试方法是由夏饮虹;张文喜;罗强设计研发完成，并于2022-10-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件内电源干扰的测试系统及测试方法在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体检测设备领域，公开了一种半导体器件内电源干扰的测试系统及测试方法。该半导体器件内电源干扰的测试系统包括：测试电路板，测试电路板上设有电源管理芯片和动态随机存储DRAM，电源管理芯片与DRAM连接；测试电路板上还设有电容模块，电容模块连接于电源管理芯片与DRAM之间，且电容模块的电容值可调。在应用本公开提供的半导体器件内电源干扰的测试系统时，可以不断调整电容模块的电容值大小，以发现电容值对干扰信号的影响，甚至得到更优的干扰信号，以在设计以及研发过程中，更清楚的了解电源噪声对DRAM产品的影响程度，更准确的分析以及排除故障，从而增加DRAM产品测试覆盖。
本发明授权半导体器件内电源干扰的测试系统及测试方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件内电源干扰的测试系统，其特征在于， 包括： 测试电路板，所述测试电路板上设有电源管理芯片和动态随机存储DRAM，所述电源管理芯片与所述DRAM连接； 所述测试电路板上还设有电容模块，所述电容模块连接于所述电源管理芯片与所述DRAM之间，且所述电容模块的电容值可调； 所述电容模块包括多个电容，每个所述电容可以选择性地连接于所述电源管理芯片与所述DRAM之间，且多个所述电容可形成并联关系； 还包括驱动机构，所述驱动机构相对所述测试电路板位置固定，且所述驱动机构的输出端与所述电容模块连接，用以驱动所述电容模块中的电容沿垂直所述测试电路板方向移动、以选择性连接于所述电源管理芯片与所述DRAM之间。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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