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龙图腾网获悉广东省科学院半导体研究所申请的专利基于超构表面提高LED光提取效率的方法及相应的LED器件与应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115513360B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211203872.9，技术领域涉及：H10H20/855；该发明授权基于超构表面提高LED光提取效率的方法及相应的LED器件与应用是由刘宁炀;谭起龙;曾昭烩;李祈昕;何晨光;赵维;陈志涛设计研发完成，并于2022-09-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于超构表面提高LED光提取效率的方法及相应的LED器件与应用在说明书摘要公布了：本发明公开一种基于超构表面提高LED光提取效率的方法及相应的LED器件与应用，其中，基于超构表面提高LED光提取效率的方法包括步骤S10：在LED芯片的出光面上制备至少一个超构单元，所有的超构单元在出光面上形成超构表面，以形成LED器件，超构单元的厚度处处相等，且超构单元设置成能够对出光面进行‑φx，y的相位补偿，其中，λ0为LED芯片的中心波长，f为LED芯片中的多量子阱至出光面的光程。即使每个超构单元的厚度处处相等，也能够实现0～2π范围内局域场相位的任意调制，以实现对出光面的出射光进行相位调制，使出射光的波前能够近似为平面光，以在简化超构单元的形状的同时提高制备得到的LED器件的光提取效率。

本发明授权基于超构表面提高LED光提取效率的方法及相应的LED器件与应用在权利要求书中公布了：1.基于超构表面提高LED光提取效率的方法，其特征在于，包括 步骤S10：在LED芯片的出光面上制备至少一个超构单元，所有的超构单元在所述出光面上形成超构表面，以形成LED器件，所述超构单元的厚度处处相等，且所述超构单元设置成能够对所述出光面进行的相位补偿，其中，，为所述LED芯片的中心波长，f为所述LED芯片中的多量子阱至所述出光面的光程，以实现对出光面的出射光进行相位调制，减少LED芯片的全反射的发生比例，使出射光的波前能够近似为平面光； 所述LED芯片为紫外LED芯片，所述LED芯片的出光面上制备的超构单元采用折射率大于2且在UV波段的吸收系数＜10-2μm的材料制成； 所述超构单元包括分布在所述出光面上的、高度范围为300nm~500nm、高度相等的至少两个直径不相等的圆柱体； 构成一个超构单元的所有圆柱体在出光面上排布呈六边形网格结构； 所述六边形网格结构中的相邻两个圆柱体的中心距的取值范围为dmax＜a＜，dmax为d的最大值，d为圆柱体的直径； 多个超构单元以周期为P的方式阵列分布在所述出光面上，所述周期P的取值范围为0.5f＜P＜2f； 所述六边形网格结构的超构单元以轴对称结构排布，且对称轴为六边形网格结构的最长的对角线和相对两棱边的中点的连线； 每两个六边形网格结构的棱边两两平行。

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