长春长光圆辰微电子技术有限公司蔡雨杉获国家专利权
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龙图腾网获悉长春长光圆辰微电子技术有限公司申请的专利晶圆CMP后沟槽内颗粒沾污的去除方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115547811B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211180068.3，技术领域涉及：H10P70/00；该发明授权晶圆CMP后沟槽内颗粒沾污的去除方法是由蔡雨杉;孙萱;刘耀聪设计研发完成，并于2022-09-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本晶圆CMP后沟槽内颗粒沾污的去除方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种晶圆CMP后沟槽内颗粒沾污的去除方法，包括以下步骤：S1、在晶圆表面沉积二氧化硅薄层；S2、通过干法刻蚀工艺对晶圆沟槽侧壁以外的二氧化硅进行刻蚀后进行CMP工艺处理；S3、通过酸性清洗液对晶圆沟槽内的二氧化硅进行腐蚀后，使镶嵌在沟槽内的大颗粒沾污变为松动状态；S4、使用第一混合清洗液对晶圆进行清洗；S5、使用超声波对晶圆进行清洗；S6、通过兆声波配合第二混合清洗液去除晶圆上的微小颗粒。本发明通过在CMP前淀积二氧化硅薄层，CMP后利用腐蚀二氧化硅使沟槽内颗粒松动，结合超声波、兆声波加清洗液清洗的方式，解决了沟槽结构晶圆在经过CMP工艺加工后产生的颗粒沾污难以去除的问题。
本发明授权晶圆CMP后沟槽内颗粒沾污的去除方法在权利要求书中公布了：1.一种晶圆CMP后沟槽内颗粒沾污的去除方法，其特征在于，包括以下步骤： S1、通过化学气相沉积方法在晶圆表面沉积二氧化硅薄层； S2、通过干法刻蚀工艺对所述晶圆内沟槽侧壁以外的二氧化硅进行刻蚀后进行CMP工艺处理； S3、通过酸性清洗液对所述晶圆沟槽内的二氧化硅进行腐蚀后，使镶嵌在沟槽内的大颗粒沾污变为松动状态； S4、使用第一混合清洗液对所述晶圆进行清洗，去除有机污染物与金属沾污； S5、使用超声波对所述晶圆进行清洗，使所述大颗粒沾污从晶圆沟槽内部脱离； S6、通过兆声波配合第二混合清洗液对所述晶圆进行再次清洗，去除所述晶圆上的微小颗粒。
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