买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉瑶芯微电子科技(上海)有限公司申请的专利一种SiC MOSFET器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115547832B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210171000.2，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权一种SiC MOSFET器件及其制备方法是由郭亮良设计研发完成，并于2022-02-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种SiC MOSFET器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种SiCMOSFET器件及其制备方法，所述制备方法包括：在N型外延层2两端注入离子形成P阱注入区；在P阱注入区内形成N元素注入区和P元素注入区；在P阱注入区内形成B元素注入区和Al元素注入区；形成栅氧化层和多晶硅层9，以形成栅极；光刻形成源极欧姆接触区域，并在源极欧姆接触区域内注入C和Ge元素，形成表面调制层；在表面调制层上制备源极；在N型衬底层背面制备漏极。本发明能够降低N型欧姆接触的接触电阻和降低P型欧姆接触的接触电阻，以及降低注入区的方块电阻。

本发明授权一种SiC MOSFET器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种SiCMOSFET器件的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括： 选取N型衬底层1； 在所述N型衬底层1上形成N型外延层2； 在所述N型外延层2两端注入离子形成P阱注入区3； 在所述P阱注入区3内注入N元素形成N元素注入区4； 在所述N元素注入区4内注入P元素形成P元素注入区5，所述P元素注入区5位于剩余的所述N元素注入区4上； 在所述P阱注入区3内注入B元素形成B元素注入区6，所述N元素注入区4和所述P元素注入区5位于两个所述B元素注入区6之间，且所述B元素注入区6注入至所述N型外延层2内； 在所述B元素注入区6内注入Al元素形成Al元素注入区7，所述Al元素注入区7位于剩余的所述B元素注入区6上； 在部分所述P元素注入区5、所述P阱注入区3和所述N型外延层2上形成栅氧化层8； 在所述栅氧化层8上制备多晶硅层9，以形成栅极； 光刻形成源极欧姆接触区域，并在所述源极欧姆接触区域内注入C和Ge元素，形成表面调制层10，所述表面调制层10位于剩余的所述Al元素注入区7上； 在所述表面调制层10上制备源极11； 在所述N型衬底层1背面制备漏极12。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人瑶芯微电子科技(上海)有限公司，其通讯地址为：200120 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区蔡伦路1690号3幢405、416室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。