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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利用于测量半导体器件中的掺杂元素的样品及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115561040B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110750737.5，技术领域涉及：G01N1/28；该发明授权用于测量半导体器件中的掺杂元素的样品及其制备方法是由王路广;左文佳设计研发完成，并于2021-07-02向国家知识产权局提交的专利申请。

本用于测量半导体器件中的掺杂元素的样品及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种用于测量半导体器件中的掺杂元素的样品及其制备方法，包括：提供设有字线结构的半导体基底，字线结构包括金属层；将半导体基底抛光至露出金属层；腐蚀掉金属层，形成字线凹槽；向字线凹槽中填充硅酸酯类化合物；在填充有硅酸酯类化合物的半导体基底上沉积Pt层；利用聚焦离子束切割半导体基底，形成样品条；将样品条转移至三维原子探针的硅基座，并与硅基座连接；将样品条在靠近硅基座的位置处切断，在硅基座上留下样品条的部分，作为待环切样品；环切待环切样品，形成圆锥状的样品。本发明的制备方法制备的样品在进行三维原子探针测量时，避免了金属元素的影响，能够形成更加清晰的三维图像，提高测量的准确性。

本发明授权用于测量半导体器件中的掺杂元素的样品及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种用于测量半导体器件中的掺杂元素的样品的制备方法，其特征在于，包括： 提供设有字线结构的半导体基底，所述半导体基底的有源区中设有字线沟槽，所述字线结构设于所述字线沟槽中；其中，所述字线结构包括形成于所述字线沟槽内壁的介电层和形成在所述介电层上并填满所述字线沟槽的金属层，所述介电层的材料为SiO2； 将所述半导体基底抛光至露出所述金属层； 腐蚀掉所述金属层，形成字线凹槽； 向所述字线凹槽中填充硅酸酯类化合物； 在填充有所述硅酸酯类化合物的所述半导体基底上沉积Pt层，沉积Pt层的工艺为化学气相沉积或原子层沉积，所述Pt层的厚度为0.2~0.5μm； 利用聚焦离子束切割所述半导体基底，形成样品条； 将所述样品条转移至三维原子探针的硅基座，并与所述硅基座连接； 将所述样品条在靠近所述硅基座的位置处切断，在所述硅基座上留下所述样品条的部分，作为待环切样品； 环切所述待环切样品，形成圆锥状的样品。

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