松山湖材料实验室杨景婷获国家专利权
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龙图腾网获悉松山湖材料实验室申请的专利曲面腔镀膜的CVD设备获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN115572962B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-13发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202211233142.3,技术领域涉及:C23C16/52;该发明授权曲面腔镀膜的CVD设备是由杨景婷;夏钰东;冯中沛;王其琛;赵睿鹏;陶伯万设计研发完成,并于2022-10-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本曲面腔镀膜的CVD设备在说明书摘要公布了:公开了一种曲面腔镀膜的CVD设备,包括:蒸发腔,用于将蒸发源气化形成沉积气体;输气组件,与所述蒸发腔连接,用于传送所述沉积气体;沉积腔,与所述输气组件连接,用于将所述沉积气体沉积在基体表面形成薄膜;其中,所述输入组件的一侧位于沉积腔内,所述输入组件上位于沉积腔内的一侧设置有控温结构,用于控制所述沉积气体的温度。本申请的曲面腔镀膜的CVD设备,通过在输气组件上设置控温结构来控制沉积物气体的温度,从而降低沉积物气体在输气组件内凝结或沉积而导致管道堵塞的问题,此外,本申请的喷口设计以及样品可水平位移和旋转也使得CVD镀曲面膜成为可能。
本发明授权曲面腔镀膜的CVD设备在权利要求书中公布了:1.一种曲面腔镀膜的CVD设备,其特征在于,包括: 蒸发腔,用于将蒸发源气化形成沉积物气体; 输气组件,与所述蒸发腔连接,用于传送所述沉积物气体; 沉积腔,与所述输气组件连接,用于将所述沉积物气体沉积在镀膜基体表面形成薄膜; 过渡腔,与所述沉积腔连接,用于传送所述镀膜基体以及给所述沉积腔抽真空; 其中,所述输气组件的一侧位于沉积腔内,所述输气组件上位于沉积腔内的喷口一侧设置有控温结构,用于控制所述沉积物气体的温度,所述输气组件的喷口伸入到所述镀膜基体的腔壁; 所述控温结构采用油保温,包括两层,油从外层流入内层或从内层流入外层; 所述过渡腔与样品杆连接,所述样品杆上有样品托,所述镀膜基体安装在所述样品托上,所述镀膜基体通过所述样品杆伸入所述沉积腔内,所述样品杆配有自动水平位移和旋转平台,在沉积过程中,所述样品杆带动所述镀膜基体沿所述镀膜基体的轴线方向水平运动并旋转,以使所述输气组件的喷口与所述镀膜基体相对运动。
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